[发明专利]MOSFET终止沟槽

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底中形成核心沟槽和终止沟槽，所述终止沟槽比所述核心沟槽宽，所述终止沟槽比所述核心沟槽深，所述衬底的台面位于所述核心沟槽和所述终止沟槽之间，所述终止沟槽的表面是所述台面的第一表面并且所述核心沟槽的表面是所述台面的第二表面；

在所述核心沟槽中沉积第一氧化物，并且所述第一氧化物用作所述终止沟槽的侧壁和底部的内衬；

在所述终止沟槽中并且所述第一氧化物之间沉积第一多晶硅，所述第一多晶硅延伸的深度是所述终止沟槽的深度的一半以上；

在所述第一多晶硅上方沉积第二氧化物；

在所述第二氧化物和所述终止沟槽上方沉积掩模；

从所述核心沟槽移除所述第一氧化物；沉积第三氧化物，所述第三氧化物用作所述核心沟槽的侧壁和底部的内衬，所述终止沟槽内的所述第一氧化物比所述核心沟槽内的所述第三氧化物厚；

在所述核心沟槽中沉积第二多晶硅，所述第二多晶硅比所述第一多晶硅深，所述第一多晶硅比所述第二多晶硅宽；和

在所述台面上方沉积第四氧化物，所述第四氧化物与所述第一氧化物、所述第一多晶硅和所述第三氧化物直接接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述终止沟槽是所述核心沟槽的两倍宽。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将掺杂区域注入到所述台面。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述终止沟槽内的所述第一氧化物是所述核心沟槽内的所述第三氧化物的两倍厚。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述沉积掩模之前，执行氧化物抛光处理来对所述第二氧化物平坦化。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述核心沟槽是源极核心沟槽。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在沉积第二多晶硅之后，执行抛光工艺。

8.一种半导体器件，其包括：

衬底；

形成在所述衬底中的终止沟槽，所述终止沟槽包括：

用作所述终止沟槽的侧壁和底部的内衬的第一氧化物；和

位于所述第一氧化物之间的第一多晶硅，所述第一多晶硅延伸的深度是所述终止沟槽的深度的一半以上；

形成在所述衬底中的核心沟槽，所述核心沟槽包括：

用作所述核心沟槽的侧壁和底部的内衬的第二氧化物；和

位于所述第二氧化物之间的第二多晶硅，所述第二多晶硅的底面比所述第一多晶硅的底面深；

被夹在所述核心沟槽和所述终止沟槽之间的所述衬底的台面，所述终止沟槽的侧壁是所述台面的第一侧壁并且所述核心沟槽的侧壁是所述台面的第二侧壁；和

位于所述台面上方的第三氧化物，所述第三氧化物与所述第一氧化物、所述第一多晶硅和所述第二氧化物直接接触；

所述终止沟槽比所述核心沟槽宽，所述终止沟槽比所述核心沟槽深，所述终止沟槽内的所述第一氧化物比所述核心沟槽内的所述第二氧化物厚，并且所述第一多晶硅比所述第二多晶硅宽。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述终止沟槽是所述核心沟槽的两倍宽。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第三氧化物是与所述第二多晶硅、所述第一氧化物、所述第一多晶硅和所述第二氧化物直接接触的层。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述台面包括位于其上表面内的掺杂区域。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述台面包括位于其上表面内的掺杂区域并且所述掺杂区域与电压接地耦接。

13.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述核心沟槽进一步包括：

位于所述第二氧化物之间的第三多晶硅；和

位于所述第二多晶硅和所述第三多晶硅之间的电介质材料。

14.根据权利要求8所述的半导体器件，进一步包括：

形成在所述衬底中的栅极核心沟槽，该栅极核心沟槽的深度小于所述核心沟槽深度的一半。

15.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述核心沟槽是源极核心沟槽。

16.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述台面包括掺杂区域。

17.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一氧化物包括二氧化硅。