[发明专利]具有LED芯片和发光材料层的光源

权利要求书

1.一种光源(11；21；31)，所述光源具有LED芯片(12)，所述LED芯片具有射出光的上表面(13)，在所述上表面上布置了发光材料层(14；35)，其中，所述发光材料层(14；35)具有并列布置的、带有不同发光材料的区域(16，17；16，24)。

2.根据权利要求1所述的光源(11；21；31)，其中，第一区域(16)具有第一发光材料，并且至少一个第二区域(17)具有第二发光材料，并且至少一个所述第二区域(17)布置在所述第一区域(16)的相应的凹进处(18)内。

3.根据权利要求2所述的光源(11；21；31)，其中，所述第一发光材料是陶瓷发光材料，并且所述第一区域(16)是由所述第一发光材料制成的陶瓷层、特别是片。

4.根据权利要求3所述的光源(11；21；31)，其中，所述陶瓷层(16)的厚度在约30和约350微米之间。

5.根据权利要求3或4中任一项所述的光源(11；21；31)，其中，所述陶瓷层(16)具有下部的、未设有活化剂的部分区域(33)和上部的、设有至少一种活化剂的部分区域(33)。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的光源(11；21；31)，其中，所述陶瓷层(16)具有掺杂Ce的LuAG或YAG作为陶瓷发光材料，特别地具有浓度在约0.5％和3％之间的Ce。

7.根据权利要求3至5中任一项所述的光源(11；21；31)，其中，所述陶瓷层(16)具有掺杂Eu的(Ba，Sr)-SiON作为陶瓷发光材料，特别地具有浓度在约0.5％和2％之间的Eu。

8.根据前述权利要求中任一项所述的光源(11；21；31)，其中，所述第二发光材料作为嵌入到浇铸材料、特别是硅酮中的填充材料而存在。

9.根据权利要求8所述的光源(11；21；31)，其中，所述第二发光材料是掺杂Eu的氮化物发光材料、特别是(Sr，Ba，Ca)₂Si₅N₈：Eu或(Sr，Ca)Al_SiN₃：Eu。

10.根据前述权利要求中任一项所述的光源(11；21；31)，其中，所述第二区域(17；24)中的平面份额在约1/3和约2/3之间。

11.一种发光装置(41)，所述发光装置具有至少一种根据前述权利要求中任一项所述的光源(11；21；31)。

12.根据权利要求11所述的发光装置，其中，所述发光装置具有带有壳体的光源。

13.根据权利要求11所述的发光装置(41)，其中，所述发光装置(41)具有多个安置在共同的支承件(42)上的光源(11；21；31)。

14.根据权利要求13所述的发光装置(41)，其中，以光学的方式在所述光源(11；21；31)后连接有共用的漫射部件(46)。