[发明专利]光固化物及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201380008685.8 申请日: 2013-01-31
公开(公告)号: CN104115256B 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: 村山阳平;伊藤俊树;三原知惠子;冲仲元毅 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;B29C39/10;B29C39/24;B29C59/02;C08K5/05;C08L33/00
代理公司: 北京魏启学律师事务所11398 代理人: 魏启学
地址: 日本东京都大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光固化 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及光固化物及其制造方法。

背景技术

近年来,半导体集成电路已经变得更加精细且集成度更高。光刻法经常被用作半导体的图案化技术。然而,基于光刻法的更精细图案不能超出曝光光的衍射极限。

因此,为了进一步促进更精细和更精密的电路,已经提议了纳米压印法。纳米压印法是指薄膜图案化技术,其包括将具有精细凹凸图案的模具压向涂布有树脂薄膜的基板,以将模具中的凹凸图案转印至涂布基板的树脂薄膜。

在纳米压印法中,在例如非专利文献1中公开的光纳米压印法已经受到关注。光纳米压印法包括:将对于曝光光灯透明的模具压印在涂布基板的光固化性组合物上;通过光照射将光固化性组合物固化;将模具从所得固化物脱模,以制造与基板集成的精细的抗蚀剂图案。

然而,对于使用光纳米压印法,应该解决一些问题。一个问题是:将模具从固化物脱模所需的力即脱模力大。由于该大的脱模力,光纳米压印法具有缺点,例如图案缺陷和由基板从平台(stage)的脱落引起的在模具与基板之间的校准精度的降低。

为了应对这样的问题,专利文献1公开了压印用的光固化物,其包括配置于基板侧上的深层部和配置于深层部上的表层部,表层部比深层部具有更高的氟化合物含量。可选地,专利文献2公开了光压印用光固化性组合物,其至少包括可聚合物单体、光聚合引发剂和含有氟原子表面活性剂。

在专利文献1中公开的光固化物意图通过在表层部含有氟化合物而降低 表面能,由此降低模具从光固化物脱模期间产生的脱模力。此外,专利文献2意图在类似于专利文献1的原理下利用含有含氟表面活性剂的光固化性组合物来降低脱模力。不幸的是,在专利文献1和专利文献2公开的光固化性树脂组合物,对于降低脱模力是不足够有效的。

引文列表

专利文献

专利文献1:日本专利申请特开号2006-080447

专利文献2:日本专利申请特开号2007-084625

非专利文献

非专利文献1:Proc.SPIE 3676,Emerging Lithographic Technologies III,P.379,1999

发明内容

已经进行本发明来解决传统技术的问题,并且本发明的目的是提供利用光压印法制备并具有良好的图案精度和改善图案缺陷的光固化物。

本发明的光固化物是通过用光照射与模具接触的光固化性组合物而获得的光固化物,

该光固化物含有含氟原子表面活性剂,其中

在通过光固化物的基于飞行时间二次离子质谱法的表面分析获得的二次离子信号中,C2H5O+离子信号的强度高于C3H7O+离子信号的强度。

本发明的光固化物仅需要小的用于将模具从光固化物脱模的脱模力。因此,本发明可以提供光利用光压印法制备并具有良好的图案精度和改善图案缺陷的固化物。

参考附图,从下面的示例性实施方案的描述,本发明进一步的特征将变得明显。

附图说明

图1A、1B、1C、1D、1E和1F是示意地阐明本发明光固化物的生产工艺一个实例的截面图。

具体实施方式

在下文中,将参考附图来适当地详细描述本发明的实施方案。然而,如下所述的实施方案,从所有方面理解为仅仅说明性的而非限制性的。基于本领域技术人员的常识,在不偏离本发明的精神下可以在下述实施方案中做出适当的改变、改进等,并且可以包括在本发明的范围内。

光固化物

首先,将描述本发明的光固化物。本发明的光固化物通过用光照射与模具接触的涂布膜而获得。在本发明中,用于制造本发明光固化物而形成的涂布膜,可以是通过用下面描述的光固化性组合物涂布基板等形成的薄膜。

本发明的光固化物具有以下特征(a)和(b):

(a)光固化物含有含氟原子的表面活性剂;和

(b)在通过基于飞行时间二次离子质谱法的(光固化物的)表面分析获得的二次离子信号中,C2H5O+离子信号的强度高于C3H7O+离子信号的强度。

本发明人已经发现,通过满足要求(a)和(b),可以降低在模具从光固化物脱模期间产生的脱模力。

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