[发明专利]瞬态控制技术电路无效
申请号: | 201380008924.X | 申请日: | 2013-02-11 |
公开(公告)号: | CN104254956A | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 马克·L·亨德里克斯;埃里克·恩古延 | 申请(专利权)人: | 特兰斯泰克塔系统公司 |
主分类号: | H02H3/08 | 分类号: | H02H3/08 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 杨勇;郑建晖 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 瞬态 控制 技术 电路 | ||
1.一种自动浪涌感测保护装置,包括:
输入端口;
输出端口;
第一晶体管,具有第一端子、第二端子和第三端子,所述第一端子连接到所述输入端口,且所述第二端子连接到所述输出端口,所述第一晶体管被配置为从传导配置自动地切换到非传导配置,所述传导配置用于允许从所述第一端子到所述第二端子的信号传播,所述非传导配置用于防止从所述第一端子到所述第二端子的信号传播;
至少一个电阻器,连接到所述第一晶体管的所述第三端子,用于偏置所述第一晶体管;
至少一个二极管,连接到所述输入端口,用于将浪涌信号从所述输入端口转向到地;以及
第二晶体管,连接到所述第一晶体管的所述第三端子,用于控制所述第一晶体管从所述传导配置到所述非传导配置的切换。
2.根据权利要求1所述的自动浪涌感测保护装置,其中所述第一晶体管被配置为在所述浪涌信号已经从所述输入端口被转向到地之后从所述非传导配置自动地切换到所述传导配置。
3.根据权利要求2所述的自动浪涌感测保护装置,其中所述第一晶体管是绝缘栅双极型晶体管(IGBT),且所述第二晶体管是IGBT。
4.根据权利要求3所述的自动浪涌感测保护装置,还包括电感器,该电感器被定位在所述壳体之内,且连接到所述输出端口和所述第一晶体管的第二端子。
5.根据权利要求4所述的自动浪涌感测保护装置,还包括至少一个电容器,该至少一个电容器被定位在所述壳体之内且被连接到所述电感器,用于过滤在所述输入端口或所述输出端口处引入的电磁场(EMF)效应。
6.根据权利要求2所述的自动浪涌感测保护装置,其中所述二极管包括被布置成串联配置的多个齐纳二极管。
7.根据权利要求1所述的自动浪涌感测保护装置,其中所述自动浪涌感测保护装置被配置为正极性电路。
8.根据权利要求1所述的自动浪涌感测保护装置,其中所述自动浪涌感测保护装置被配置为负极性电路。
9.一种自动浪涌感测保护电路,包括:
输入端口;
输出端口;
第一晶体管,具有第一端子、第二端子和第三端子,所述第一端子连接到所述输入端口,且所述第二端子连接到所述输出端口,所述第一晶体管被配置为从传导配置自动地切换到非传导配置,所述传导配置用于允许从所述第一端子到所述第二端子的信号传播,所述非传导配置用于防止从所述第一端子到所述第二端子的信号传播;
分流器,连接到所述第一晶体管的所述第三端子,用于偏置所述第一晶体管;
至少一个二极管,连接到所述输入端口,用于使浪涌信号从所述输入端口转向到地;以及
第二晶体管,连接到所述第一晶体管的所述第三端子,用于控制所述第一晶体管从所述传导配置到所述非传导配置的切换。
10.根据权利要求9所述的电路,其中在所述第一晶体管的第二端子和所述输出端口之间连接有π型滤波器。
11.根据权利要求10所述的电路,其中所述π型滤波器包括至少一个电容器和一个电感器。
12.根据权利要求9所述的电路,其中所述分流器包括多个电阻器。
13.根据权利要求9所述的电路,还包括回扫二极管,该回扫二极管连接在所述第一晶体管的所述第一端子和所述第二端子之间。
14.根据权利要求9所述的电路,还包括回扫二极管,该回扫二极管连接在所述第二晶体管的所述第一端子和所述第二端子之间。
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