[发明专利]成膜装置有效
申请号: | 201380009061.8 | 申请日: | 2013-02-12 |
公开(公告)号: | CN104115261B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 岩崎征英;米仓総史;岩尾俊彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/455 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 李洋,舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 | ||
1.一种成膜装置,其中,包括:
载置台,其具有基板载置区域,并且被设置成能够以轴线为中心旋转,以便该基板载置区域在周向移动;
处理容器,其划界收容所述载置台的处理室,该处理室包括通过所述载置台的旋转而相对于所述轴线在周向移动的所述基板载置区域依次通过的第1区域以及第2区域;
第1气体供给部,其从被设置成与所述载置台对置的喷射部向所述第1区域供给前躯体气体;
排气部,其从形成为沿着包围所述喷射部的周围的闭路延伸的排气口进行排气;
第2气体供给部,其从形成为沿着包围所述排气口的周围的闭路延伸的喷射口供给净化气体;以及
等离子体生成部,其在所述第2区域生成反应气体的等离子体,
所述第2区域相对于所述轴线向周向延伸的角度范围大于所述第1区域相对于所述轴线向周向延伸的角度范围。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其中,
在所述喷射部与所述等离子体生成部之间延伸的所述喷射口以及所述排气口的宽度小于所述基板载置区域的直径。
3.根据权利要求1或2所述的成膜装置,其中,
所述喷射部提供多个喷射口,
所述多个喷射口跨越随着接近所述轴线而相互接近的两个边缘部之间分布。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的成膜装置,其中,
所述等离子体生成部具有:向所述第2区域供给反应气体的第3气体供给部、和向所述第2区域供给微波的一个以上的天线,
所述一个以上的天线分别包括:
电介质板,其被设置成隔着所述第2区域与所述载置台对置;和
一个以上的导波管,其设置在所述电介质板上,并且形成有使微波朝向所述电介质板通过的槽,
所述电介质板具有面向所述第2区域的电介质窗,该电介质窗包括两个边缘部,所述两个边缘部构成为向与所述轴线交叉的方向延伸并且随着接近所述轴线而相互接近。
5.根据权利要求4所述的成膜装置,其中,
所述等离子体生成部具有在所述周向排列的多个天线作为所述一个以上的天线。
6.根据权利要求4所述的成膜装置,其中,
所述等离子体生成部具有单一天线作为所述一个以上的天线,
所述单一天线具备设置在单一所述电介质板上且在周向排列的多个导波管作为所述一个以上的导波管。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的成膜装置,其中,
从所述排气口以及所述第2气体供给部的所述喷射口到所述载置台之间设置有间隙,
所述排气口与所述第2气体供给部的所述喷射口之间的距离为所述间隙的长度的10倍以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380009061.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造