[发明专利]R-T-B系烧结磁体有效
| 申请号： | 201380009189.4 | 申请日： | 2013-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104137197A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 三轮将史;中嶋春菜;西川健一;日高彻也;萩原淳;石坂力 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;B22F3/00;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/08 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 | ||
1.一种R-T-B系烧结磁体，其特征在于，
所述R-T-B系烧结磁体具有R2T14B结晶粒，
在由相邻的2个以上的所述R2T14B结晶粒形成的晶粒边界中具有R-O-C浓缩部，相比所述R2T14B结晶粒内，所述R-O-C浓缩部的R、O以及C的浓度都更高，
所述R-O-C浓缩部中O原子相对于R原子的比率O/R满足下述式(1)，
0.4＜(O/R)＜0.7 (1)。
2.如权利要求1所述的R-T-B系烧结磁体，其中，
所述R-O-C浓缩部具有立方晶系的结晶结构。
3.如权利要求2所述的R-T-B系烧结磁体，其中，
所述R-O-C浓缩部中O原子相对于R原子的比率O/R满足下述式(2)，
0.5＜(O/R)＜0.7 (2)。
4.如权利要求3所述的R-T-B系烧结磁体，其中，
所述R-T-B系烧结磁体中所含的氧量为2000ppm以下。
5.如权利要求4所述的R-T-B系烧结磁体，其中，
所述R-O-C浓缩部中所含的R包括RL和RH，RL为至少包含Nd、Pr的任一者或者两者的稀土元素，RH为至少包含Dy、Tb的任一者或者两者的稀土元素。
6.一种R-T-B系烧结磁体，其特征在于，
所述R-T-B系烧结磁体具有R2T14B结晶粒，
在由相邻的2个以上的所述R2T14B结晶粒形成的晶粒边界中具有R-O-C-N浓缩部，相比所述R2T14B结晶粒内，所述R-O-C-N浓缩部的R、O、C以及N的浓度都更高，
所述R-O-C-N浓缩部中O原子相对于R原子的比率O/R满足下述式(1)’，
0.4＜(O/R)＜0.7 (1)’。
7.如权利要求6所述的R-T-B系烧结磁体，其中，
所述R-O-C-N浓缩部具有立方晶系的结晶结构。
8.如权利要求7所述的R-T-B系烧结磁体，其中，
所述R-O-C-N浓缩部中O原子相对于R原子的比率O/R满足下述式(2)’，
0.5＜(O/R)＜0.7 (2)’。
9.如权利要求8所述的R-T-B系烧结磁体，其中，
所述R-T-B系烧结磁体中所含的氧量为2000ppm以下。
10.如权利要求9所述的R-T-B系烧结磁体，其中，
所述R-O-C-N浓缩部中所含的R包括RL和RH，RL为至少包含Nd、Pr的任一者或者两者的稀土元素，RH为至少包含Dy、Tb的任一者或者两者的稀土元素。
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