[发明专利]电阻性存储器单元结构及方法

权利要求书

1.一种电阻性存储器单元阵列，其包括：

第一电阻性存储器单元，其包括第一电阻可变材料；及

第二电阻性存储器单元，其包括不同于所述第一电阻可变材料的第二电阻可变材料。

2.根据权利要求1所述的阵列，其中第一及第二电阻可变材料包含相变材料。

3.根据权利要求1所述的阵列，其中所述第一及第二电阻性存储器单元各自包含形成于耦合到选择装置的导电插塞上的加热器材料。

4.根据权利要求1所述的阵列，其中所述第一及第二电阻性存储器单元各自包含自对准结构，所述自对准结构包括形成于相应第一与第二导电元件之间的所述相应第一及第二电阻可变材料。

5.根据权利要求4所述的阵列，其中所述第一导电元件为加热器，且所述第一及第二电阻可变材料为相变材料。

6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的阵列，其中所述第一电阻性存储器单元属于第一子阵列，且所述第二电阻性存储器单元属于第二子阵列。

7.根据权利要求1所述的阵列，其中所述阵列的包含所述第一电阻可变材料的第一区域经配置以存储第一类型的数据，且所述阵列的包含所述第二电阻可变材料的第二区域经配置以存储第二类型的数据。

8.根据权利要求7所述的阵列，其中所述阵列的所述第一区域具有比所述阵列的所述第二区域高的相关联保持能力。

9.根据权利要求7所述的阵列，其中所述阵列的所述第一区域具有比所述阵列的所述第二区域高的相关联编程处理量。

10.一种电阻性存储器单元阵列，其包括：

第一数目个电阻性存储器单元，其在所述阵列的第一区域中且包括具有与其相关联的特定电热性质的电阻可变材料；及

第二数目个电阻性存储器单元，其在所述阵列的第二区域中且包括具有与其相关联的不同电热性质的电阻可变材料。

11.根据权利要求10所述的阵列，其中所述第一数目个单元的所述电阻可变材料及所述第二数目个单元的所述电阻可变材料中的至少一者植入有离子。

12.根据权利要求10所述的阵列，其中所述阵列包含形成于所述第一及第二区域中的所述电阻可变材料上的反应物材料，形成于所述第一区域上的所述反应物材料的厚度不同于形成于所述第二区域上的所述反应物材料的厚度。

13.根据权利要求10所述的阵列，其中所述阵列包含形成于所述阵列的所述第一区域中的所述电阻可变材料上的第一反应物材料及形成于所述阵列的所述第二区域中的所述电阻可变材料上的第二反应物材料，其中所述第二反应物材料不同于所述第一反应物材料。

14.根据权利要求10到13中任一权利要求所述的阵列，其中所述第一及第二电阻性存储器单元耦合到同一位线。

15.一种形成电阻性存储器单元阵列的方法，所述方法包括：

在所述阵列的第一区域中形成第一数目个电阻性存储器单元，所述第一数目个单元包括第一电阻可变材料；及

在所述阵列的第二区域中形成第二数目个电阻性存储器单元，所述第二数目个单元包括不同于所述第一电阻可变材料的第二电阻可变材料。

16.根据权利要求15所述的方法，其中形成所述阵列包含：

在形成于所述第一及第二区域上的第一导电材料上形成所述第一电阻可变材料；

在所述第一电阻可变材料上形成第一帽盖材料；

从所述第二区域移除所述第一电阻可变材料及所述第一帽盖材料；

在所述第一区域的所述第一帽盖材料上及所述第二区域的所述导电材料上形成所述第二电阻可变材料；

在所述第二电阻可变材料上形成第二帽盖材料；

从所述第一区域移除所述第二电阻可变材料及所述第二帽盖材料；及

形成对应于所述相应第一及第二数目个电阻性存储器单元的单独单元堆叠。

17.根据权利要求16所述的方法，其中在耦合到对应于所述第一数目个电阻性存储器单元及所述第二数目个电阻性存储器单元的相应选择装置的若干个导电插塞上形成所述第一导电材料。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一及第二帽盖材料充当所述相应第一及第二数目个电阻性存储器单元的位线。