[发明专利]使用红外探测的用于处理系统的原位基板探测

权利要求书

1.一种方法，包括：

使用红外探测器监测在基板处理室的一部分内的温度；

凭借基板的通过来确定何时发生温度的改变；以及

通过所述的确定的温度的改变来识别基板在处理室内的位置。

2.如权利要求1所述的方法，其中，基板的识别的位置与已经通过探测器的基板的后边缘对应。

3.如权利要求1所述的方法，其中，识别的基板位置与正好接近探测器的基板的前边缘对应。

4.如权利要求1所述的方法，其中，基板的温度比处理室的所述部分的背景温度低且所述确定步骤包括确定何时温度升高。

5.如权利要求1所述的方法，其中，基板的温度比处理室的所述部分的背景温度高且所述确定步骤包括确定何时温度下降。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

凭借第二基板的通过来确定何时发生温度的第二改变；以及

通过所述确定的温度的第二改变来识别第二基板的位置。

7.如权利要求6所述的方法，还包括确定基板的末端与第二基板的开端之间的间隙长度。

8.如权利要求1所述的方法，还包括改变在处理室的所述部分内的处理以改变基板的位置。

9.如权利要求7所述的方法，其中，改变的处理是基板的传输速度。

10.如权利要求1所述的方法，其中，处理室是气相传输沉积室。

11.如权利要求1所述的方法，还包括：

使用第二红外探测器监测在基板处理室的第二部分内的温度；

凭借基板的通过来确定何时在室的第二部分中发生温度的改变；以及

通过在室的第二部分中的所述确定的温度的改变来识别基板的第二位置；以及

使用识别的位置来确定基板是否旋转。

12.一种系统，包括：

基板处理室；以及

红外探测器，安装在处理室的第一部分处，所述探测器具有第一输出；以及

控制器，连接到探测器的第一输出，所述控制器利用从第一输出接收的信号来监测在处理室的第一部分内的温度，确定何时发生温度的改变，基于确定的温度改变来识别当基板在处理室内传输时基板的位置。

13.如权利要求12所述的系统，其中，红外探测器在外部安装在处理室的第一部分上。

14.如权利要求12所述的系统，其中，基板的识别的位置与已经通过探测器的基板的后边缘对应。

15.如权利要求12所述的系统，其中，识别的基板位置与正好接近探测器的基板的前边缘对应。

16.如权利要求12所述的系统，其中，基板的温度比处理室的所述部分的背景温度低且所述控制器通过确定温度何时升高来确定温度的改变。

17.如权利要求12所述的系统，其中，基板的温度比处理室的所述部分的背景温度高且所述控制器通过确定温度何时下降来确定温度的改变。

18.如权利要求12所述的系统，其中，控制器基于第二基板的通过来确定何时发生温度的第二改变，并基于确定的温度的第二改变来识别当第二基板在处理室内传输时第二基板的位置。

19.如权利要求18所述的系统，其中，控制器确定基板的末端与第二基板的开端之间的间隙长度。

20.如权利要求12所述的系统，其中，控制器改变在处理室的第一部分内的处理以改变基板的位置。

21.如权利要求20所述的系统，其中，改变的处理是基板的传输速度。

22.如权利要求12所述的系统，还包括：

第二红外探测器，安装在处理室的第二部分处，所述第二红外探测器具有连接到控制器的第二输出，

其中，所述控制器利用从第二输出接收的信号来监测在处理室的第二部分内的温度，确定何时在第二部分处发生温度的改变，基于确定的温度的第二改变来识别在处理室内正在传输的第二基板的位置。