[发明专利]电解池和电解槽

权利要求书

1.一种电解池，所述电解池具备：

阳极室、

阴极室、

将所述阳极室与所述阴极室隔开的隔离壁、

设置于所述阳极室的阳极、

设置于所述阴极室的阴极、和

设置于所述阴极室内的逆电流吸收体，其具有基材和形成于该基材上的逆电流吸收层，

所述阳极与所述阴极被电连接，

所述阴极与所述逆电流吸收层被电连接。

2.如权利要求1所述的电解池，其中，所述逆电流吸收层包含氧化还原电位比所述阴极低的元素。

3.如权利要求1或2所述的电解池，其中，所述逆电流吸收层包含选自由C、Cr、Ni、Ti、Fe、Co、Cu、Al、Zr、Ru、Rh、Pd、Ag、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi、Cd、Hg、Mn、Mo、Sn、Zn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu组成的组中的1种以上的元素。

4.如权利要求1～3的任一项所述的电解池，其中，所述逆电流吸收层为包含Ni或NiO的多孔质层，并且，在所述逆电流吸收层的粉末X射线衍射图中，衍射角2θ＝44.5°处的Ni金属的衍射线峰的半峰宽为0.6°以下。

5.如权利要求1～4的任一项所述的电解池，其中，在利用氮气吸附法测定的所述逆电流吸收层的细孔径分布曲线中，细孔径为10nm以上的细孔的细孔容积为总细孔容积的80％以上。

6.如权利要求1～5的任一项所述的电解池，其中，所述逆电流吸收层是通过在所述基材的表面的至少一部分喷镀Ni或NiO而形成的。

7.如权利要求6所述的电解池，其中，所述逆电流吸收层是通过在所述基材的表面的至少一部分喷镀NiO后对所述NiO进行还原处理而形成的。

8.如权利要求1～7的任一项所述的电解池，其中，所述阴极具有Ni基材和形成于该Ni基材上的催化剂层。

9.如权利要求1～8的任一项所述的电解池，其中，

所述阴极室进一步具有集电体、支撑该集电体的支撑体、和金属弹性体，

所述金属弹性体配置于所述集电体和所述阴极之间，

所述支撑体配置于所述集电体和所述隔离壁之间，

所述隔离壁、所述支撑体、所述集电体、所述金属弹性体和所述阴极被电连接。

10.如权利要求9所述的电解池，其中，

所述逆电流吸收体的所述基材的至少一部分为所述集电体，

在所述集电体的表面形成有所述逆电流吸收层。

11.如权利要求9所述的电解池，其中，

所述逆电流吸收体的所述基材的至少一部分为所述金属弹性体，

在所述金属弹性体的表面形成有所述逆电流吸收层。

12.如权利要求9所述的电解池，其中，

所述逆电流吸收体的所述基材的至少一部分为所述隔离壁，

在所述隔离壁的表面形成有所述逆电流吸收层。

13.如权利要求9所述的电解池，其中，

所述逆电流吸收体的所述基材的至少一部分为所述支撑体，

在所述支撑体的表面形成有所述逆电流吸收层。

14.如权利要求9所述的电解池，其中，所述逆电流吸收体的至少一部分配置于所述阴极与所述金属弹性体之间。

15.如权利要求9所述的电解池，其中，所述逆电流吸收体的至少一部分配置于所述金属弹性体与所述集电体之间。

16.如权利要求9所述的电解池，其中，所述逆电流吸收体的至少一部分配置于所述集电体与所述隔离壁之间。

17.如权利要求1～8的任一项所述的电解池，其中，

所述阴极室进一步具有支撑所述阴极的支撑体，

所述支撑体配置于所述阴极和所述隔离壁之间，

所述隔离壁、所述支撑体和所述阴极被电连接。

18.如权利要求17所述的电解池，其中，

所述逆电流吸收体的所述基材的至少一部分为所述隔离壁，

在所述隔离壁的表面形成有所述逆电流吸收层。