[发明专利]具有防反射涂层和紫外线吸收材料的紫外线掩膜在审
申请号: | 201380009880.2 | 申请日: | 2013-03-04 |
公开(公告)号: | CN104126150A | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
发明(设计)人: | 陈宬;K-W·金;J·钟 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | G03F1/46 | 分类号: | G03F1/46;G03F1/54;G03F1/50;G03F1/58;G02F1/13 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 宋海宁 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 反射 涂层 紫外线 吸收 材料 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年3月6日提交的并且题目为“UV Mask With Anti-reflection Coating and UV Absorption Material”的美国临时专利申请61/607,458和于2012年10月2日提交的并且题目为“UV Mask With Anti-reflection Coating and UV Absorption Material”的美国实用专利申请13/633,812的优先权,这些专利申请全文以引用方式并入本文并且用于所有目的。
技术领域
本申请整体涉及液晶显示器(LCD),并且更具体地涉及用于LCD的制造工艺。
背景技术
紫外线(UV)掩膜广泛应用于LCD制造中。在密封剂固化工艺期间,紫外线掩膜被经常放置在LCD单元和紫外线光源之间。这个掩膜覆盖LCD的有效显示区,但是留下密封剂暴露于紫外线,从而密封剂可被固化以将彩色滤光片(CF)玻璃和薄膜晶体管(TFT)玻璃粘结在一起。
紫外线掩膜的用途是保护有效显示区中的有机材料免受紫外光的损坏。例如,液晶可被紫外线分解并且造成不好的对准、图像残留和其他光学伪影。这些缺陷常常被称为“mura”。紫外光还可损坏用在TFT和/或CF玻璃上的有机层(例如,用于钝化的负型感光丙烯酸(photo-acrylic)层)并且造成深色图像上的可见伪影。紫外光可进一步损坏TFT设备,造成显示器的伪影或功能问题。
虽然紫外光被紫外线掩膜阻挡,但是它也被紫外线掩膜反射。这样,从密封剂正在其上固化的LCD所反射的紫外光可进一步被紫外线掩膜反射并反射到LCD的紫外线敏感部分上而导致缺陷。常规地,围绕LCD的厚边框有助于最小化紫外线反射的效应和/或阻止紫外光到达LCD的紫外线敏感部分。
发明内容
一个实施例可采取在固化LCD显示器上的密封剂时使用的紫外线掩膜的形式。该紫外线掩膜包括母玻璃和在母玻璃上的紫外线掩膜层。紫外线吸收膜与紫外线掩膜层相邻地定位,并且防反射(AR)膜与紫外线吸收膜相邻地定位。
另一个实施例可采取具有紫外线光源的系统的形式,该紫外线光源被配置为将紫外光朝着LCD显示器组件引导以固化TFT玻璃和CF玻璃之间的密封剂材料。所述系统还包括定位在紫外线光源和LCD显示器之间的紫外线掩膜。紫外线掩膜包括母玻璃、母玻璃上的紫外线掩膜和与紫外线掩膜相邻的防反射(AR)膜。AR膜包括与紫外线掩膜相邻的塑料基板和覆盖所述塑料基板的防反射涂层。所述塑料基板包含紫外线吸收剂。
另一个实施例可采取在固化工艺期间阻挡紫外光的方法的形式。所述方法包括通过将油墨掩膜施加到母玻璃的期望区域而在紫外线掩膜母玻璃上创建阻挡层并且在紫外线母玻璃上创建防反射层来覆盖所述阻挡层。另外,所述方法包括在固化工艺期间将紫外线掩膜母玻璃定位在显示器母玻璃上方。
尽管公开了多个实施例,但是通过以下详细描述,本发明的其他实施例对于本领域的技术人员将变得显而易见。如将所认识到的,在均不脱离所述实施例的实质和范围的前提下,可对所述实施例在各个方面进行修改。因此,附图和详细描述将被视为在实质上是示例性的而不是限制性的。
附图说明
图1示出了一种具有LCD显示设备的电子设备。
图2A示出了一种紫外线掩膜。
图2B示出了一种用于LCD显示器的母玻璃单元。
图2C示出了覆盖在图2B中母玻璃单元上的图2A中的紫外线掩膜。
图3示出了固化LCD组件上的密封剂的紫外光。
图4A为图3的一部分的放大视图,其示出了到达LCD的有效显示区的紫外光的反射。
图4B示出了紫外光的反射的更多细节。
图5示出了从LCD组件反射到包括防反射膜和紫外线吸收膜的紫外线掩膜的紫外光。
图6为防反射膜、紫外线吸收膜和粘合剂的放大视图。
图7为示出来自防反射膜的紫外光的反射百分比的曲线图。
图8为示出通过防反射膜的紫外光的透射百分比的曲线图。
图9为对于半角为5度的反射光针对原始掩膜、BM掩膜和具有防反射涂层的BM掩膜示出紫外光强度与进入有效显示区的深度之间的关系的曲线图。
图10为对于半角为10度的反射光针对原始掩膜、BM掩膜和具有防反射涂层的BM掩膜示出紫外光强度与进入有效显示区的深度之间的关系的曲线图。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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