[发明专利]有机电子元件和有机电子元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机电子元件和有机电子元件的制造方法，特别是涉及具备阻气性能优异的密封层的有机电子元件和有机电子元件的制造方法。

背景技术

近年，对于采用了由有机化合物构成的有机功能层的有机电子元件，一直在进行对有机电致发光元件(有机EL元件)、有机太阳能电池等各种领域的研究开发。

其中，有机电致发光元件(有机EL元件)可利用低电压直流驱动而高亮度发光，并作为能够轻薄化、轻量化、柔性化的图像显示装置而备受瞩目。

然而，有机EL元件因氧、水蒸气等而使电极氧化或使有机物改性，因此存在产生非发光点(暗点)等作为图像显示装置的性能降低的问题。

因此，为了解决这样的问题，在从与基板相对的上部电极侧导出光的发光元件(有机EL元件)中，提出一种具备由氮化硅膜等构成的密封膜的发光元件，其目的在于，实现防止在密封膜与上部电极间的反射，并提高发光效率(例如，参照专利文献1)。

更具体而言，一种发光元件，其特征在于，是在基板上依次层叠下部电极、有机EL层、以及上部电极而成的，在上部电极的表面侧利用CVD法设置由具有折射率小于3.5且大于大气折射率的折射率的密封材料例如氮化硅膜构成的密封膜。

另外，提出了一种有机EL元件的制造方法，长期间地赋予阻隔性优异的无缺陷的无机密封层，其目的在于减少发光不良(例如，参照专利文献2)。

更具体而言，在有机EL元件的制造方法中，其特征在于，包括以下工序：在基板上形成第1电极层的工序、在第1电极层上形成有机发光介质层(有机EL层)的工序、在有机发光介质层上形成第2电极层的工序、使用含有氧原子(O)的气体对基板整体进行等离子体处理的工序、形成由氮化硅、氧化硅、氧化氮化硅等构成的无机密封层的工序、以及使用含氟原子(F)的气体在无机密封层上进行等离子体处理的工序。

另外，提出了一种有机EL装置等，具备提高了耐久性的由含有氮的硅化合物构成的密封层，其目的在于实现高可靠性(例如，参照专利文献3)。

更具体而言，一种有机EL装置等，是在基板上依次层叠下部电极、有机EL层、以及上部电极而成的有机EL装置，其特征在于，具备密封层，该密封层是在上部电极的表面侧交替层叠含有含氮硅化合物的第1阻气层与含有含氮硅化合物的氧化物的第2阻气层而成的。

此外，提出了一种阻气膜的制造方法，该阻气膜用作有机EL元件的基板等，为了提供不使用加热处理等而容易制造的阻气膜，对聚硅氮烷膜进行等离子体处理而成(例如，参照专利文献4)。

更具体而言，一种阻气膜的制造方法，其特征在于，在塑料膜的至少一面形成聚硅氮烷膜，对该聚硅氮烷膜实施等离子体处理，使其成为阻气膜，并将得到的阻气膜用作有机EL元件的基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-231443号公报

专利文献2：日本特开2008-71608号公报

专利文献3：日本特开2010-27561号公报

专利文献4：日本特开2007-237588号公报

发明内容

然而，对于专利文献1中公开的利用CVD法形成的密封膜，必须使用严格控制折射率的由氮化硅膜构成的密封材料，材料选择范围小，且用于有机EL元件时，存在阻气性、密合性、或透明性等仍较低的问题。

另外，对于专利文献2中公开的有机EL元件的制造方法，在由氮化硅、氧化硅、氧化氮化硅等构成的密封层上，通过使用含F原子的气体进行等离子体处理的工序，从而将密封层表面适度粗面化，确保与其上的粘合剂的粘合性，但存在密封层的阻气性不充分的问题。

另外，对于专利文献3中公开的有机EL元件的制造方法，作为密封层，必须使含有含氮硅化合物的第1阻气层与含有含氮硅化合物的氧化物的第2阻气层交替层叠，存在工序数过度增加，制造时间容易变长的问题。

另外，专利文献4中公开的用于有机EL元件基板等的阻气膜的制造方法中，对膜形成聚硅氮烷膜后，实施等离子体处理，将其用作阻气膜，但是不进行等离子体离子注入处理，因此存在有机EL元件的阻气性尚不充分的问题。

因此，本发明人等对这样的问题进行深入研究，结果发现在有机EL元件、太阳能电池等有机电子元件的上表面或侧面直接涂布以硅化合物为主成分的涂液而直接形成涂膜，对该涂膜进行等离子体离子注入，由此不仅对有机电子元件的上表面，对侧面也能够致密且有效进行密封，从而完成本发明。