[发明专利]向衬底的耦合损耗减少的光子晶体波导

权利要求书

1.一种光子装置，其包含：

衬底；

外包层材料，其形成在所述衬底上方；

内核，其在所述外包层材料的一部分内；和

抗耦合区，其在所述衬底中在所述内核的至少一部分和所述外包层材料的至少一部分下方延伸，

其中所述抗耦合区足以减轻所述内核与所述衬底之间的光学耦合。

2.根据权利要求1所述的光子装置，其中多个孔洞设置在所述内核中从其顶表面延伸穿过其以形成光子晶体。

3.根据权利要求1所述的光子装置，其中所述抗耦合区的至少一部分具有约等于或小于所述外包层材料的折射率的折射率。

4.根据权利要求1所述的光子装置，其中所述抗耦合区的至少一部分经电介质材料填充。

5.根据权利要求1所述的光子装置，其中所述抗耦合区的至少一部分经二氧化硅、氧化铝和金属氧化物中的一者填充。

6.根据权利要求1所述的光子装置，其中所述抗耦合区的至少一部分经空气填充。

7.根据权利要求2所述的光子装置，其中所述多个孔洞的至少第一群组具有约等于或小于所述外包层材料的折射率的第一折射率。

8.根据权利要求7所述的光子装置，其中所述多个孔洞的所述第一群组经电介质材料填充。

9.根据权利要求7所述的光子装置，其中所述多个孔洞的所述第一群组经二氧化硅、氧化铝和金属氧化物中的一者填充。

10.根据权利要求7所述的光子装置，其中所述多个孔洞的所述第一群组经空气填充。

11.根据权利要求7所述的光子装置，其中所述多个孔洞的至少第二群组具有约等于或小于所述外包层材料的折射率的第二折射率。

12.根据权利要求11所述的光子装置，其中所述多个孔洞的所述第二群组经电介质材料填充。

13.根据权利要求11所述的光子装置，其中所述多个孔洞的所述第二群组经二氧化硅、氧化铝和金属氧化物中的一者填充。

14.根据权利要求11所述的光子装置，其中所述多个孔洞的所述第二群组经空气填充。

15.根据权利要求1所述的光子装置，其中所述内核包含多晶硅、单晶硅和氮化硅中的一者。

16.根据权利要求1所述的光子装置，其中所述外包层材料包含电介质材料。

17.根据权利要求1所述的光子装置，其中所述外包层材料包含二氧化硅、氧化铝和金属氧化物中的一者。

18.根据权利要求2所述的光子装置，其中所述光子晶体是二维光子晶体。

19.根据权利要求2所述的光子装置，其中所述光子晶体是三维光子晶体。

20.一种系统，其包含：

发射极，其经配置以发射光学信号；和

至少一个光子装置，其经配置以接收来自所述发射极的所述光学信号，其包含：

衬底；

外包层材料，其形成在所述衬底上方；

内核，其在所述外包层材料的一部分内；

抗耦合区，其在所述衬底中在所述内核的至少一部分和所述外包层材料的至少一部分下方延伸，

其中所述抗耦合区足以减轻所述内核与所述衬底之间的光学耦合。

21.根据权利要求20所述的系统，其中多个孔洞设置在所述内核中从其顶表面延伸穿过其以形成光子晶体。

22.根据权利要求20所述的系统，其进一步包含安置在所述至少一个光子装置的一端或两端处的收发器，所述收发器经配置以发送和接收来自所述至少一个光子装置的所述光学信号。

23.根据权利要求21所述的系统，其中所述光子晶体是二维光子晶体。

24.根据权利要求21所述的系统，其中所述光子晶体是三维光子晶体。

25.根据权利要求20所述的系统，其中所述抗耦合区的至少一部分经折射率约等于或小于所述外包层材料的折射率的材料填充。

26.根据权利要求20所述的系统，其中所述抗耦合区经空气填充。