[发明专利]研磨剂、研磨剂组和基体的研磨方法在审
申请号: | 201380010364.1 | 申请日: | 2013-02-14 |
公开(公告)号: | CN104137232A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 阿久津利明;南久贵;岩野友洋;藤崎耕司 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 杜娟 |
地址: | 日本国东京都千*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨剂 基体 研磨 方法 | ||
1.一种研磨剂,其含有:水、包含四价金属元素的氢氧化物的磨粒、聚亚烷基二醇和阳离子性聚合物,其中,阳离子性聚合物选自由烯丙基胺聚合物、二烯丙基胺聚合物、乙烯基胺聚合物和乙烯亚胺聚合物构成的组群中的至少一种。
2.如权利要求1记载的研磨剂,其中,以质量比计,所述阳离子性聚合物含量相对于所述聚亚烷基二醇含量的比率为0.0005以上、0.03以下。
3.如权利要求1或2记载的研磨剂,其中,所述研磨剂不含有聚乙烯醇。
4.如权利要求1~3中的任一项记载的研磨剂,其中,所述聚亚烷基二醇是选自由聚乙二醇和聚丙二醇构成的组群中的至少一种。
5.如权利要求1~4中的任一项记载的研磨剂,其中,以研磨剂的总质量为基准,所述聚亚烷基二醇的含量为0.01质量%以上。
6.如权利要求1~5中的任一项记载的研磨剂,其中,所述四价金属元素的氢氧化物是选自由稀土金属元素的氢氧化物和锆的氢氧化物构成的组群中的至少一种。
7.如权利要求1~6中的任一项记载的研磨剂,其中,所述磨粒的平均粒径为1nm以上、300nm以下。
8.如权利要求1~7中的任一项记载的研磨剂,其中,以研磨剂的总质量为基准,所述磨粒的含量为0.005质量%以上、20质量%以下。
9.如权利要求1~8中的任一项记载的研磨剂,其中,pH为3.0以上、12.0以下。
10.如权利要求1~9中的任一项记载的研磨剂,其中,所述研磨剂用于研磨含有氧化硅的被研磨面。
11.一种研磨剂组,其是将权利要求1~10中的任一项记载的研磨剂的构成成分分为多个液体而保存的;其中,第一液体含有所述磨粒,第二液体含有选自由所述聚亚烷基二醇和所述阳离子性聚合物构成的群中的至少一种。
12.一种基体的研磨方法,具有使用权利要求1~10中的任一项记载的研磨剂对基体的被研磨面进行研磨的工序。
13.一种基体的研磨方法,具有使用研磨剂对基体的被研磨面进行研磨的工序,其中,该研磨剂是将权利要求11记载的研磨剂组中的所述第一液体和所述第二液体混合而得到的。
14.一种基体的研磨方法,其是具有绝缘材料和多晶硅的基体的研磨方法,且所述研磨方法具有使用权利要求1~10中的任一项记载的研磨剂,相对于所述多晶硅对所述绝缘材料进行选择性研磨的工序。
15.一种基体的研磨方法,其是具有绝缘材料和多晶硅的基体的研磨方法,且所述研磨方法具有使用研磨剂,相对于所述多晶硅对所述绝缘材料进行选择性研磨的工序,其中,该研磨剂是将权利要求11记载的研磨剂组中的所述第一液体和所述第二液体混合而得到的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造