[发明专利]固态图像拾取单元、制造固态图像拾取单元的方法以及电子设备

权利要求书

1.一种固态图像拾取单元，包括：

黄铜矿结构的p-型化合物半导体层；

电极，形成在该p-型化合物半导体层上；以及

n-型层，对于每个像素，单独形成在该p-型化合物半导体层的与光入射侧相反的表面上。

2.根据权利要求1所述的固态图像拾取单元，其中该电极形成在该p-型化合物半导体层的光入射表面侧上。

3.根据权利要求1所述的固态图像拾取单元，其中该电极由与该p-型化合物半导体层欧姆接触的金属形成。

4.根据权利要求2所述的固态图像拾取单元，其中该电极仅形成在该n-型层的像素分离区域中。

5.根据权利要求2所述的固态图像拾取单元，其中该n-型层的像素分离部设置有p-型层。

6.根据权利要求1所述的固态图像拾取单元，其中该n-型层构成半导体基板上形成的MOS晶体管的源极和漏极。

7.根据权利要求1所述的固态图像拾取单元，还包括：

绝缘层，形成在该p-型化合物半导体层上；以及

透光电极，形成在该绝缘层上。

8.根据权利要求1所述的固态图像拾取单元，其中该电极由金属膜和透光电极形成，该金属膜形成在该p-型化合物半导体层的光入射表面上，并且该透光电极形成在该金属膜上。

9.一种制造固态图像拾取单元的方法，该方法包括：

为每个像素单独形成n-型层；

在该n-型层上形成黄铜矿结构的p-型化合物半导体层；以及

在该p-型化合物半导体层上形成电极。

10.根据权利要求9所述的制造固态图像拾取单元的方法，还包括

在半导体基板上形成配线层，其中

该n-型层形成在该配线层上。

11.根据权利要求9所述的制造固态图像拾取单元的方法，还包括

制备设置有n-沟道MOS晶体管的半导体基板，其中

该p-型化合物半导体层形成在该MOS晶体管的n-型层上。

12.一种电子设备，设置有固态图像拾取单元和处理从该固态图像拾取单元输出的信号的信号处理电路，该固态图像拾取单元包括：

黄铜矿结构的p-型化合物半导体层；

电极，形成在该p-型化合物半导体层上；以及

n-型层，对于每个像素，单独形成在该p-型化合物半导体层的与光入射侧相反的表面上。