[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
申请号: | 201380010600.X | 申请日: | 2013-02-18 |
公开(公告)号: | CN104137253A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 山本圭;多田和弘 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L21/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:
基座板,其具有相对的第1主面和第2主面,直立设置的多个翅片和包围所述多个翅片的凸起部设置在所述第1主面上;
绝缘层,其形成在所述基座板的第2主面上;
电路图案,其固定在所述绝缘层上;
半导体元件,其与所述电路图案连接;以及
封装树脂,其对所述绝缘层、所述电路图案和所述半导体元件进行封装,
在所述基座板的第1主面上设置的凸起部对所述多个翅片的周围连续地包围。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述多个翅片以一定朝向排列。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
在所述多个翅片上分别形成有沿翅片的厚度方向贯穿的狭缝。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,
在所述多个翅片上分别形成的狭缝排列成一条直线状。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述绝缘层包含有无机粉末。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
在所述基座板上铆接固定有金属板。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述半导体元件的至少一部分由宽带隙半导体形成。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,
所述宽带隙半导体是碳化硅、氮化镓类材料、金刚石中的任一种半导体。
9.一种半导体装置的制造方法,其具有下述工序:
通过一体加工而形成基座板的工序,在该基座板直立设置有多个翅片,在所述多个翅片的周围设置有连续地包围所述多个翅片的凸起部;
将半导体元件固定在所述基座板上的工序;
向在高于底面的部位处设置有载置面的成型模具中载置所述基座板的工序,在该工序中,将所述多个翅片朝向下侧,使所述凸起部和所述载置面抵接;
向载置有所述基座板的所述成型模具充入塑模树脂的工序;以及
加热所述充入的塑模树脂而使该树脂硬化的工序。
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