[发明专利]曝光描绘装置及曝光描绘方法

说明书

技术领域

本发明涉及曝光描绘装置及曝光描绘方法，特别是涉及通过对被曝光基板曝光光束而描绘电路图案的曝光描绘装置、由曝光描绘装置执行的程序及通过对被曝光基板曝光光束而描绘电路图案的曝光描绘方法。

背景技术

以往，在制造半导体装置时，存在在制造装置内悬浮的尘埃附着于晶片这一问题。因此，在日本特开平8－5542号公报中提出了在制造中对附着于晶片的尘埃数进行预测的半导体装置的制造装置。该制造装置具备：尘埃计测装置，其对悬浮于真空的处理室的尘埃数进行计测；及数据处理装置，其通过将计测出的尘埃数与处理室中悬浮的尘埃数和该处理室所处理的晶片上附着的尘埃数的相关关系进行对照，而对处理室中所处理的晶片上附着的尘埃数进行预测。利用该结构，用户能够对半导体装置的制造中附着于晶片的尘埃数进行预测，并能够在预测出的尘埃数为基准值以上的情况下中止处理室的处理而进行检查清扫。

另一方面，通过对被曝光基板曝光光束而描绘电路图案的曝光描绘装置中也同样，在通过使用现有的转印掩膜的方法进行曝光的情况下，若制造中附着于转印掩膜的尘埃附着于被曝光基板，则被曝光基板会以组为单位(作业单位)而成为废品，因此希望在制造现场中能够确认有无尘埃附着。

与此相对，也存在利用不使用转印掩膜的直接描绘型的方法进行曝光的情况，在该情况下，原理上，没有转印掩膜，因此不会产生由附着于转印掩膜的尘埃引起的以组为单位的废品。然而，制造现场中，存在如下现状：针对曝光处理时的被曝光基板的废品产生率，在使用了转印掩膜的时代培养的对尘埃的捕捉方法即较高地估计出废品的产生率的状态下，进一步增加对与所描绘的图像图案的高清化相伴而使废品产生的尘埃的粒子尺寸形成小尺寸化的不安感，用户对于无法看到的尘埃变得敏感，需要实施必要以上的尘埃对策。

发明内容

发明要解决的课题

作为曝光描绘装置中的尘埃对策，可以考虑将上述日本特开平8－5542号公报所公开的半导体装置的制造装置中的尘埃对策适用于曝光描绘装置。可是，上述日本特开平8－5542号公报的尘埃对策中，是在预测出的尘埃数超过规定值的情况下使处理中止的结构，因此对于各晶片，存在无法在制造后对制造中的尘埃数进行确认的问题。

本发明鉴于上述问题而提出，目的在于提供能够确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级的曝光描绘装置及曝光描绘方法。

用于解决课题的手段

为了达到上述目的，本发明的第一方式所涉及的曝光描绘装置具备：曝光单元，通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案；计数单元，对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数；判定单元，判定所述曝光单元的曝光处理中由所述计数单元计数出的粒子数是否是基于与所述电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上；及附加单元，在由所述判定单元判定为是阈值以上的情况下，对所述被曝光基板附加预先规定的信息。

根据第一方式所涉及的曝光描绘装置，利用曝光单元通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案，并利用计数单元对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数。

这里，本发明中，利用判定单元，判定所述曝光单元的曝光处理中由所述计数单元计数出的粒子数是否为基于与所述电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上，并在由所述判定单元判定为是阈值以上的情况下，利用附加单元对所述被曝光基板附加预先规定的信息。另外，所谓“曝光处理”，指的是进行将被曝光基板搬入到曝光描绘装置的内部并开始向被曝光面的曝光且完成对该被曝光面的曝光的一系列的处理动作。

如此，根据第一方式所涉及的曝光描绘装置，在曝光处理中对装置内的微粒的粒子数为阈值以上的被曝光基板附加预先规定的信息，结果能够确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级。

另外，本发明也可以如第二方式所涉及的发明那样，与所述图案相关的尺寸是所述电路图案中的相邻的图案间的间距宽度的最小值、图案宽度的最小值及焊盘直径的最小值中的至少一个。由此，能够根据在被曝光基板上描绘的电路图案而决定适当的阈值。

另外，本发明也可以如第三方式所涉及的发明那样，所述计数单元对应所述微粒的每个粒径范围对所述粒子数进行计数，对应每个所述粒径范围来规定所述阈值，所述判定单元对应每个所述粒径范围来判定所述粒子数是否是预先规定的阈值以上，在一个以上的粒径范围的粒子数是对应每个所述粒径范围而规定的阈值以上的情况下判定为是阈值以上。由此，考虑到对应每种微粒而微粒的粒径不同，而能够判定对应每种微粒粒子数是否是阈值以上。