[发明专利]热电转换材料有效
| 申请号： | 201380010650.8 | 申请日： | 2013-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN104115295A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 武藤豪志;宫崎康次;畑迫芳佳;加藤邦久 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人九州工业大学;琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 庞立志;孟慧岚 |
| 地址： | 日本福冈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热电 转换 材料 | ||
1.热电转换材料，其是在包含具有微孔的嵌段共聚物的嵌段共聚物基板上形成有热电半导体层的热电转换材料，其特征在于，前述嵌段共聚物由聚合物单元（A）与聚合物单元（B）构成，所述聚合物单元（A）包含均聚物的玻璃化转变温度为50℃以上的单体，所述聚合物单元（B）包含共轭二烯系聚合物。
2.权利要求1所述的热电转换材料，其中，前述聚合物单元（A）包含聚苯乙烯。
3.权利要求1或2所述的热电转换材料，其中，前述聚合物单元（B）包含聚异戊二烯。
4.权利要求1～3中任一项所述的热电转换材料，其中，前述嵌段共聚物中的前述聚合物单元（A）的数均分子量为500～500000，前述聚合物单元（B）的数均分子量为500～500000，并且前述聚合物单元（B）的含量为1～40质量%。
5.权利要求1～4中任一项所述的热电转换材料，其中，前述微孔的深度为5～1000nm、平均直径为5～1000nm。
6.权利要求1～5中任一项所述的热电转换材料，其中，前述热电半导体层的膜厚为10～500nm。
7.权利要求1～6中任一项所述的热电转换材料，其中，前述热电半导体层是由p型碲化铋或n型碲化铋成膜而成。
8.权利要求1～7中任一项所述的热电转换材料，其中，前述p型碲化铋为BiXTe3Sb2-X、且0＜X≤0.6。
9.权利要求1～7中任一项所述的热电转换材料，其中，前述n型碲化铋为Bi2.0Te3-YSeY、且0＜Y≤3。
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