[发明专利]可溶液加工的氧化钨缓冲层和包括其的电子器件有效

专利信息
申请号: 201380010676.2 申请日: 2013-02-15
公开(公告)号: CN104245124B 公开(公告)日: 2017-08-29
发明(设计)人: N·A·卢钦格;S·C·哈利姆 申请(专利权)人: 凡泰姆股份公司
主分类号: B01J23/30 分类号: B01J23/30;B01J23/652;B01J23/68;B01J23/888;B01J35/00;B01J35/02;B01J37/02;C03C17/25;C09C1/00;C09D7/12;H01L51/00;H01L51/42;C23C18/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 郭辉
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 溶液 加工 氧化钨 缓冲 包括 电子器件
【权利要求书】:

1.一种悬浮液形式的组合物,所述组合物包含

(a)选自下组的氧化钨纳米颗粒

■纯氧化钨纳米颗粒,

■掺杂的氧化钨纳米颗粒,以及

■核-壳纳米颗粒,其中所述壳由氧化钨或掺杂的氧化钨组成且所述核由不同的无机材料组成;

(b)均相溶剂组合物,其包括

■水,

■与水形成二元共沸物的第一有机溶剂;

其中,在所述溶剂组合物(b)中水的量在相对于所述第一有机溶剂的共沸总含水量以下;

其中,在所述组合物中水的量是0.1-20重量%,以及

其中,纳米颗粒的量:水的量之比在9:1(重量/重量)以下。

2.如权利要求1所述的组合物,其特征在于,

■在所述组合物中水的量是0.1-20重量%;以及

■在所述组合物中氧化钨纳米颗粒的量是1-5重量%。

3.如权利要求1或2所述的组合物,其特征在于,所述均相溶剂组合物(b)还包括与水形成二元共沸物的第二有机溶剂,

其中,在所述溶剂组合物(b)中水的量在相对于所述第一有机溶剂和所述第二有机溶剂的共沸总含水量以下。

4.如权利要求1或2所述的组合物,其特征在于,所述均相溶剂组合物(b)还包括不与水形成二元共沸物的第三有机溶剂。

5.如权利要求1所述的组合物,其由下述组分组成

6.如权利要求3所述的组合物,其特征在于,

■所述第一有机溶剂选自下组:醇和腈;

■所述第二有机溶剂选自下组:醇、腈、酮、酯、醚、醛和烷氧基醇;

以及,其中所述醇可部分地或全部地被卤素取代,

以及,其中所述醇可包含多重键,

以及,其中所述有机溶剂可包括直链的、支化的或环状的衍生物。

7.如权利要求1或2所述的组合物,其特征在于,所述纳米颗粒的量的范围是0.1-20重量%,所述均相溶剂组合物的量的范围是80-99.9重量%。

8.如权利要求4所述的组合物,其特征在于,

■所述第三有机溶剂选自下组:醇、腈、酮、酯、醚、醛和烷氧基醇;

以及,其中所述醇可部分地或全部地被卤素取代,

以及,其中所述醇可包含多重键,

以及,其中所述有机溶剂可包括直链的、支化的或环状的衍生物。

9.一种用于制造薄膜的方法,其包括以下步骤:

(a)将如上述权利要求中的任一项所述的组合物施涂至基材或涂覆的基材上,以及

(b)从所述组合物除去溶剂以获得干燥的膜,以及任选地

(c)在升高的温度下处理所述干燥的膜。

10.如权利要求9所述的方法,其特征在于:

■通过涂覆或印刷施涂步骤(a)的所述组合物;和/或

■在具有低湿度含量的空气或保护气下除去步骤(b)中的所述溶剂;和/或

■在步骤(c)中,在空气中或在保护气中于80℃-150℃下退火干燥的纳米颗粒膜。

11.如权利要求9或10所述的方法,其特征在于,所述膜

■厚度在5-200纳米之间,和/或

■平均表面粗糙度在100纳米以下。

12.如权利要求9或10所述的方法,其特征在于,所述基材是

■疏水性有机材料,具有40mJ/m2以下的表面自由能;或者

■亲水性无机材料。

13.一种薄膜,其由如权利要求9-12中的任一项所述的方法来获得,其特征在于,所述组合物包括核-壳型的氧化钨纳米颗粒,其中所述壳由氧化钨或掺杂的氧化钨组成且所述核由不同的无机材料组成。

14.一种电学元件,其包括如权利要求13所述的薄膜。

15.一种器件,其包括一种或多种如权利要求14所述的电学元件。

16.一种用于制造如权利要求1-6中任一项所述的组合物的方法,其包括以下步骤

(a)提供均相溶剂组合物;

(b)提供纳米颗粒;

(c)结合所述纳米颗粒和所述均相溶剂组合物,以获得悬浮液。

17.将如权利要求1-6中任一项所述的组合物用于制造薄膜的应用,该薄膜

(a)适于用作有机太阳能电池、有机发光二极管或有机光检测器中的空穴传输层;

(b)用于光致发光应用;和/或

(c)用于电致发光应用;和/或

(d)用于热致发光应用;和/或

(e)用作催化剂;和/或

(f)用于传感器应用;和/或

(g)用于晶体管;和/或

(h)用于变阻器;和/或

(i)用于电容器;和/或

(j)用于热电应用。

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