[发明专利]钼烯丙基络合物和其于薄膜沉积中的用途

权利要求书

1.一种有机金属络合物，其在结构上对应于式I：

其中

R¹和R³在每次出现时独立地为烷基；

R²为烷基；

R⁴在每次出现时独立地选自由烷基、烯基和炔基组成的群组；

x和z独立地为0、1或2；

y为0或1；且

n为0到5；其中

在n为0时，R¹或R²或R³如果存在，则为C₂-C₈烷基；且

在n为1时，R¹或R³如果存在，则为C₂-C₈烷基。

2.根据权利要求1所述的有机金属络合物，其中R¹、R³和R⁴在每次出现时独立地为C₁-C₈烷基；R²为烷基，且其中

在n为0时，R¹或R²或R³如果存在，则为C₂-C₈烷基；且

在n为1时，R¹或R³如果存在，则为C₂-C₈烷基。

3.根据权利要求1或2所述的有机金属络合物，其中n为0或1。

4.根据权利要求1或2所述的有机金属络合物，其中n为2到5。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的有机金属络合物，其中x和z为0。

6.根据权利要求5所述的有机金属络合物，其中y为1。

7.根据权利要求1所述的有机金属络合物，其中所述络合物为：

8.一种通过气相沉积工艺形成含钼膜的方法，所述方法包含汽化至少一种在结构上对应于式I的有机金属络合物：

其中

R¹和R³在每次出现时独立地为烷基；

R²为烷基；

R⁴在每次出现时独立地选自由烷基、烯基和炔基组成的群组；

x和z独立地为0、1或2；

y为0或1；且

n为0到5。

9.根据权利要求8所述的方法，其中R¹、R³和R⁴在每次出现时独立地为C₁-C₈烷基；且R²为C₁-C₈烷基。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中R¹、R³和R⁴在每次出现时独立地为C₁-C₄烷基；且R²为C₁-C₄烷基。

11.根据权利要求8到10中任一权利要求所述的方法，其中n为0或1。

12.根据权利要求8到10中任一权利要求所述的方法，其中n为2到5。

13.根据权利要求8到12中任一权利要求所述的方法，其中x和z为0。

14.根据权利要求13所述的方法，其中y为0。

15.根据权利要求8所述的方法，其中所述有机金属络合物是选自由以下组成的群组：

16.根据权利要求8到15中任一权利要求所述的方法，其中所述气相沉积工艺为化学气相沉积。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述化学气相沉积为脉冲化学气相沉积或连续流动化学气相沉积。