[发明专利]用于石墨烯形成的方法和系统

权利要求书

1.一种形成石墨烯的薄膜的方法，所述方法包括：

在减压下把基底放置于处理室中；

在所述基底的至少一部分上进行表面处理工艺；

在所述处理室中提供含碳材料；

使所述基底暴露于所述含碳材料；以及

使所述含碳材料的一部分转变成在所述基底上的石墨烯的薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，还包括在进行所述表面处理工艺之前提供气体并且使所述基底暴露于所述气体。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述气体是氢气。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述表面处理工艺包括RF氢等离子体。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述表面处理工艺包括RF等离子体清洗工艺。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述基底包括铜箔。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述减压少于500毫托。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述含碳材料包括甲烷、乙烷、丙烷或丁烷中的至少一种。

9.一种用于形成石墨烯的方法，所述方法包括：

提供基底；

使所述基底经受减压环境；

提供载气；

提供碳源；

使所述基底的至少一部分暴露于所述载气和所述碳源；

在所述基底的所述至少一部分上进行表面处理工艺；以及

使所述碳源的一部分转变成布置在所述基底的所述至少一部分上的石墨烯。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述基底包括铜箔。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述表面处理工艺包括RF等离子体清洗工艺。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述载气包括氢气并且所述表面处理工艺包括RF氢等离子体工艺。

13.如权利要求9所述的方法，其中所述碳源包括甲烷。

14.如权利要求9所述的方法，其中提供所述载气和提供所述碳源被同时进行。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述碳源构成少于0.1％的组合的载气流和碳源流。

16.如权利要求9所述的方法，其中所述表面处理工艺在少于或等于500毫托的压力下被进行。

17.一种用于石墨烯产生的系统，所述系统包括：

多个气体源；

多个质量流量控制器，每个所述多个质量流量控制器与所述多个气体源中的一个耦合；

与所述多个质量流量控制器流体连通的处理室；

可操作以在所述处理室中形成等离子体的等离子体源；

与所述处理室流体连通的真空泵；

处理器；以及

非暂时性计算机可读存储介质，所述非暂时性计算机可读存储介质包含有形地体现在所述计算机可读存储介质上的多个计算机可读指令，当通过数据处理器被执行时，所述多个计算机可读指令提供石墨烯产生，所述多个指令包括：

引起所述数据处理器使基底经受减压环境的指令；

引起所述数据处理器提供载气和碳源的指令；

引起所述数据处理器使所述基底的至少一部分暴露于所述载气和所述碳源的指令；

引起所述数据处理器在所述基底的所述至少一部分上进行表面处理工艺的指令；以及

引起所述数据处理器使所述碳源的一部分转变成布置在所述基底的所述至少一部分上的石墨烯的指令。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述基底包括铜箔。

19.如权利要求17所述的方法，其中所述载气包括氢气并且所述表面处理工艺包括RF氢等离子体清洗工艺。

20.如权利要求17所述的方法，其中所述碳源包括甲烷。

21.如权利要求17所述的方法，其中提供所述载气和提供所述碳源被同时进行。