[发明专利]升压电路

权利要求书

1.一种升压电路，将供给电压升压并向第1端子输出，其具备：

振荡电路，其生成时钟信号；

电荷泵电路，其利用所述时钟信号将所述供给电压升压，向第2端子输出升压电压；

感测电路，其感测所述第1端子的电压并输出感测信号；以及

输出电路，其切断所述第1端子与所述第2端子的连接，

所述振荡电路根据所述感测信号来控制所述振荡电路的输出的激活/非激活，

所述输出电路根据所述感测信号来控制所述输出电路的切断。

2.根据权利要求1所述的升压电路，其特征在于，

所述输出电路是将所述第1端子与所述第2端子连接或切断的开关电路。

3.根据权利要求1所述的升压电路，其特征在于，

所述振荡电路根据所述感测信号来控制所述振荡电路的激活/非激活。

4.根据权利要求2所述的升压电路，其特征在于，

所述电荷泵电路向所述第2端子输出正的升压电压，

所述开关电路具有根据所述第1端子的电压而控制栅极电压的P沟道型MOS晶体管。

5.根据权利要求2所述的升压电路，其特征在于，

所述电荷泵电路向所述第2端子输出负的升压电压，

所述开关电路具有根据所述第1端子的电压而控制栅极电压的N沟道型MOS晶体管。

6.根据权利要求2所述的升压电路，其特征在于，

所述振荡电路、所述感测电路及所述开关电路由具备与所述电荷泵电路同等以下的氧化膜厚的MOS晶体管或MOS电容构成。

7.一种半导体存储器，其搭载了权利要求1～6的任一项所述的升压电路。

8.一种非易失性半导体存储器，其搭载了权利要求1～6的任一项所述的升压电路。

9.一种电阻变化型非易失性半导体存储器，其搭载了权利要求1～6的任一项所述的升压电路。

10.一种磁阻变化型非易失性半导体存储器，其搭载了权利要求1～6的任一项所述的升压电路。