[发明专利]具有陶瓷涂层的经热处理陶瓷基板及用于经涂布陶瓷的热处理方法

权利要求书

1.一种方法，包括以下步骤：

提供陶瓷物品，包括陶瓷基板与陶瓷涂层，其中所述陶瓷涂层具有初始孔隙 度与初始裂缝量；

以约每分钟0.1℃至约每分钟20℃的升降温速率，加热所述陶瓷物品至介 于约1000℃与约1800℃间的温度范围；

以所述温度范围内的一或多个温度热处理所述陶瓷物品达约24小时的历时， 以减少所述陶瓷涂层的孔隙度与裂缝量；及

在热处理之后以所述升降温速率来冷却所述陶瓷物品。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层另外具有初始粒子 计数与初始黏结强度，且其中在热处理之后，所述陶瓷涂层具有降低的粒子计数与 增加的黏结强度。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷基板与所述陶瓷涂层各 自实质上由Y₂O₃、Al₂O₃、Y₄Al₂O₉、Y₃Al₅O₁₂(YAG)、石英、SiC、Si₃N₄、AlN 或SiC-Si₃N₄中的至少其一组成，且其中所述陶瓷基板具有与所述陶瓷涂层不同的 组成。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述陶瓷基板与所述陶瓷涂层包 括在热处理期间将反应而于所述陶瓷涂层与所述陶瓷基板之间形成过渡层的陶瓷。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层由包括Y₂O₃以及 ZrO₂、Al₂O₃、SiO₂、B₂O₃,Er₂O₃、Nd₂O₃、Nb₂O₅、CeO₂、Sm₂O₃或Yb₂O₃中的至 少其一的固体溶液组成。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理使所述陶瓷涂层与所 述陶瓷基板反应而于所述陶瓷基板与所述陶瓷涂层之间形成过渡层，且其中所述历 时与所述温度范围经选择以使所述过渡层具有约0.1微米至约5微米的厚度。

7.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在所述加工陶瓷物品已经用于等离子体蚀刻工艺之后，重复加热、热处理与 冷却，以减少所述等离子体蚀刻工艺所产生的增加的表面缺陷密度。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述等离子体蚀刻工艺使聚合物 形成于所述陶瓷物品上，且其中在氧的存在下重复所述热处理通过使所述等聚合物 与氧反应以变成气体而干式清洁所述陶瓷物品。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在真空、空气的存在、 氩气的存在、或氮气的存在中至少其一之下进行。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加工陶瓷物品是等离子体 蚀刻器的处理腔室组件。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理使所述陶瓷涂层的 晶粒大小增加，且其中所述历时与所述温度范围经过选择以达到目标晶粒大小。