[发明专利]运用窄带磷光发射材料于拥有微腔式结构的有机发光二极管

权利要求书

1.一种微腔窄带有机发光二极管器件，具有增强的发光能力，包含有：

一基板；

一个微腔结构，其结构定义为，在一片基板上，按顺序分别是，一个带有四分波堆的介电镜面，一个透明金属电极，一个由空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层和电子注入层组成的有机电致发光层，以及一个金属电极，其中，四分波堆包含有一定数目的由高反射系数和低反射系数材料交替而成的四分波堆对，四分波堆镜面的反射率通过选择合适的介电材料达到最佳；

第一个金属电极对光透明而第二个金属电极对光极不透明并且极其反光；有机电致发光层含有至少一种从芳香胺类化合物，芳基取代的咔唑类化合物，芳基取代的噁二唑，芳基替代的三唑，芳基取代的菲咯啉和芳基取代的金属喹啉类化合物中来的主体材料，并且，至少有一种磷光发光材料会分散在至少一种上述主体材料中；磷光发光材料是从环金属配合物的衍生物中来，具有窄的发光光谱带宽，其半峰宽小于40nm，可用来在发光层里产生红，绿或者蓝光；

发光层与不透明金属电极之间的距离确定；

调节微腔有机发光二极管选定的腔体长度让发出的红，绿或者蓝光透过透明电极出来后达到共振和具备高的光提取效率；

其中，光提取效率的多少通过调整透明金属电极和不透明且高反射金属电极之间的距离来实现，而选定的腔体长度则由透明金属电极的厚度，有机电致发光层的厚度或者两者的组合共同来控制；

磷光发光材料的发光光谱半峰宽在5－40纳米之间；

其中该微腔窄带有机发光二极管器件的磷光发光体的组分结构包括以下两种：

如果存在的话，其中每个Ar₁,Ar₂,Ar₃,和Ar₄均独立地表示带有取代基或未带取代基的芳香环或杂环基团；其中每个X_n均独立地表示和中心金属离子配位的碳和/或氮原子，所述中心金属离子包括铂、钯、铑、铱、银、金或铜中的任意一种；其中Ar₅是芳香环或杂环基团；其中Ar₆是存在的或不存在的，如果存在的话，是芳香环或杂环基团；其中每一个An均独立地表示一个连接原子，所述连接原子包括氮、碳、硼、磷或硅中的任意一种，并且如果在化合价允许的情况下他们带有取代基；其中b_n是存在的或不存在的，如果存在的话，独立地表示氧、硫、氮、碳、硼、磷或硅，并且如果在化合价允许的情况下他们带有取代基。

2.根据权利要求1所述的微腔窄带有机发光二极管器件，其透明金属底电极是氧化铟锡(ITO)或氧化锌锡(ZTO)或氧化锡(SnO_x)或氧化铟(InO_x)或氧化钼(MoO_x)或碳纳米管，且其厚度在10-100纳米之间。

3.根据权利要求1所述的微腔窄带有机发光二极管器件，其不透明且高反射的金属顶电极是铝，银，金或者它们的组合，且其厚度在20-300纳米之间。

4.根据权利要求1所述的微腔窄带有机发光二极管器件，其透明金属底电极是阳极，而不透明且高反射的金属顶电极是阴极。

5.根据权利要求1所述的微腔窄带有机发光二极管器件，其四分波堆对由一反射系数在2－3.5之间的高反射系数材料和一反射系数在1－2之间的低反射系数材料交叉堆置组成。

6.根据权利要求1所述的微腔窄带有机发光二极管器件，其四分波堆由高反射系数材料和低反射系数材料交叉堆置形成，高反射系数材料是氧化钛(TiO_x)，氧化钽(TaO_x),不定型硅或者它们的组合，低反射系数材料是二氧化硅(SiO₂)，氮化硅(SiN_x)和氟化锂(LiF)或者它们的组合；设计布拉格反射器的目的是为了对特定的设计波长提供高反射率；理论上，设计波长选为发光材料的光谱的峰值波长，所述发光材料为窄带磷光发光材料，或者接近于器件理想工作温度下的发光波长；布拉格反射器里每一层的光学厚度对应于波长的1/4奇数倍，其中波长指的是在材料中的波长，即在真空中的光的波长除以材料的反射系数。