[发明专利]用于在集成板中嵌入受控腔MEMS封装的方法有效

专利信息
申请号: 201380011132.8 申请日: 2013-02-27
公开(公告)号: CN104136365A 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: C·D·曼卡;F·斯特普尼克;S·K·科杜里 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C3/00;H01L23/02
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵蓉民
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 集成 嵌入 受控 mems 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种嵌入式微机电系统装置即MEMS装置,其包括:

嵌入在绝缘板中的半导体芯片,所述芯片具有包含辐射传感器MEMS元件的腔,所述腔在芯片表面处的开口由板覆盖,所述板对由所述MEMS元件感测的辐射是透射性的;

远离所述腔的板表面具有裸露的中心区域,以被暴露于由所述腔中的所述MEMS元件感测的辐射,以及由接触所述板表面的金属膜和堆叠于所述金属膜上的粘合剂层覆盖的外围区域。

2.根据权利要求1所述的MEMS装置,其进一步包括在外围板表面上的、接触所述金属膜上的所述粘合剂层的导电箔。

3.根据权利要求2所述的MEMS装置,其中由所述MEMS元件感测的辐射选自包含电磁辐射、声辐射和化学辐射的群组。

4.根据权利要求3所述的MEMS装置,其中盖板由厚度约为15μm的固化光致抗蚀剂材料制成。

5.根据权利要求4所述的MEMS装置,其中保护性金属膜包含所述盖板上的厚度约为0.15μm的钛-钨层以及所述钛-钨层上的厚度约为0.20μm的铜层。

6.一种用于制造微机电系统装置即MEMS装置的方法,其包括以下步骤:

提供具有腔的半导体芯片,所述腔包含辐射传感器MEMS元件,所述腔在芯片表面处的开口由板覆盖,所述板对由所述MEMS元件感测的辐射是透射性的;以及

跨远离所述腔的板表面放置图案化的金属膜。

7.根据权利要求6所述的方法,其中所述盖板由厚度约为15μm的固化光致抗蚀剂材料制成。

8.根据权利要求7所述的方法,其中保护性金属膜包含所述盖板上的厚度约为0.15μm的钛-钨层以及所述钛-钨层上的厚度约为0.20μm的铜层。

9.一种用于制造嵌入式微机电系统装置,即MEMS装置的方法,其包括以下步骤:

提供芯片,所述芯片在由板覆盖的腔中具有辐射感测MEMS元件,所述板在远离所述腔的板表面上具有图案化的金属膜;

将带有所述金属膜的芯片表面附接到由粘合剂层覆盖的图案化的导电箔上;

将未附接的芯片体嵌入绝缘板中;以及

从所述盖板循序地移除所述导电箔、接着是所述粘合剂层且随后是所述金属膜的部分,由此使所述板暴露于由所述腔中的所述MEMS元件感测的辐射。

10.根据权利要求9所述的方法,其中移除所述导电箔的部分的步骤包括化学蚀刻技术。

11.根据权利要求10所述的方法,其中移除所述粘合剂层的部分的步骤包括激光技术。

12.根据权利要求11所述的方法,其中移除所述金属膜的部分的步骤包括另一化学蚀刻技术。

13.根据权利要求12所述的方法,其中所述芯片表面进一步包含连接到所述MEMS装置的芯片端子,且所述方法进一步包括将所述芯片端子连接到所述图案化的导电箔。

14.根据权利要求13所述的方法,其中所述盖板由厚度约为15μm的固化光致抗蚀剂材料制成。

15.根据权利要求14所述的方法,其中保护性金属膜包含所述盖板上的厚度约为0.15μm的钛-钨层以及所述钛-钨层上的厚度约为0.20μm的铜层。

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