[发明专利]用于制造单晶金属-半导体-复合的方法

权利要求书

1. 一种用于制造半传导的功能层的表面上的单晶金属-半导体-复合的方法，其中首先将包含金属的储备层涂覆在所述功能层上并且然后通过退火触发所述金属与所述功能层的反应，其特征在于，

所述储备层最迟在从所述功能层的表面起5nm的层厚度的情况下结束或转变为其中所述金属比在与所述功能层直接相邻的区域中更慢地扩散的区域。

2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，选择半导体合金作为半导体。

3. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体合金仅包含来自第四主族的元素。

4. 如权利要求3所述的方法，其特征在于，从群组SiGe，GeSn，SiSn，SiGeC，SiC，SiGeSn，SiGeCSn或SiCSn选择半导体合金。

5. 如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述储备层最迟在从功能层的表面起3nm的层厚度的情况下结束或转变为其中所述金属比在与所述功能层直接相邻的区域中更慢扩散的区域。

6. 如权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述储备层包括由金属，金属的合金或金属的复合组成的至少两个层，所述至少两个层彼此之间通过扩散势垒分开。

7. 如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述储备层具有多层结构，其中

-由金属，金属的合金或金属的复合组成的层以及

-扩散势垒

分别交替。

8. 如权利要求6至7中任一项所述的方法，其特征在于，选择铝，氧化物或氮化物作为扩散势垒。

9. 如权利要求6至8中任一项所述的方法，其特征在于，至少一个扩散势垒的材料的部分在所述储备层和半传导的功能层之间的界面上扩散并且在那里催化金属-半导体-复合的形成。

10. 如权利要求1至9中任一项所述的方法，所述储备层包括由金属组成的与功能层直接相邻的层和由金属的合金组成的至少一个层。

11. 如权利要求10所述的方法，其特征在于，从群组AI，Co，Cr，Pd，Pt，Ti，W选择一个或多个金属作为附加的合金元素。

12. 如权利要求1至11中任一项所述的方法，其特征在于，在金属-半导体-复合中安置关于半导体的公式单位的金属原子的化学计量。

13. 如权利要求1至12中任一项所述的方法，其特征在于，选择功能层，所述功能层相对于所述功能层在其之上生长的衬底拉紧。

14. 如权利要求1至13中任一项所述的方法，其特征在于，在退火之后，通过化学选择性蚀刻剥蚀未与所述功能层反应的储备层的部分。