[发明专利]基板清洗方法、基板清洗装置以及真空处理装置

权利要求书

1.一种基板清洗方法，其用于去除附着于基板的微粒，其特征在于，

该基板清洗方法包括：

取得与附着于基板的微粒有关的、包括粒径在内的微粒信息的工序；

根据由上述工序取得的微粒信息来对清洗用气体的作为原子或分子的聚集体的气体团簇的粒径进行调整的工序；

之后自压力比基板所处的处理气氛的压力高的区域向处理气氛喷射上述清洗用气体、通过绝热膨胀生成上述气体团簇的工序；以及

将上述气体团簇向基板的表面垂直地照射而去除微粒的工序，

其中，上述对气体团簇的粒径进行调整的工序是对清洗用气体的供给压力和清洗用气体的温度中的至少一者进行调整的工序。

2.根据权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，

在上述基板的表面形成有图案凹部。

3.根据权利要求1或2所述的基板清洗方法，其特征在于，

上述取得微粒信息的工序是将微粒信息存储于计算机用的存储部的工序，

上述对气体团簇的粒径进行调整的工序是计算机根据存储于上述存储部的信息来输出用于调整上述粒径的控制信号的工序。

4.根据权利要求1或2所述的基板清洗方法，其特征在于，

上述气体团簇的照射量是每1平方厘米10¹¹数量级～10¹⁵数量级。

5.根据权利要求1或2所述的基板清洗方法，其特征在于，

上述清洗用气体是二氧化碳气体或者是二氧化碳气体和氦气的混合气体。

6.根据权利要求1或2所述的基板清洗方法，其特征在于，

压力比上述基板所处的处理气氛的压力高的区域的压力是0.3Mpa～5.0MPa。

7.根据权利要求1或2所述的基板清洗方法，其特征在于，

微粒信息包括将基板上的位置和微粒的粒径相关联而成的信息。

8.根据权利要求1或2所述的基板清洗方法，其特征在于，

将上述气体团簇的粒径调整为上述微粒的粒径的0.2倍～2倍。

9.一种基板清洗方法，其用于去除附着于基板的微粒，其特征在于，

该基板清洗方法包括：

取得与附着于基板的微粒有关的、包括粒径在内的微粒信息的工序；

根据由上述工序取得的微粒信息来对清洗用气体的作为原子或分子的聚集体的气体团簇的粒径进行调整的工序；

之后自压力比基板所处的处理气氛的压力高的区域向处理气氛喷射上述清洗用气体、通过绝热膨胀生成上述气体团簇的工序；以及

将上述气体团簇向基板的表面垂直地照射而去除微粒的工序，

其中，上述清洗用气体是二氧化碳气体和氦气的混合气体。

10.根据权利要求9所述的基板清洗方法，其特征在于，

在上述基板的表面形成有图案凹部。

11.根据权利要求9或10所述的基板清洗方法，其特征在于，

上述取得微粒信息的工序是将微粒信息存储于计算机用的存储部的工序，

上述对气体团簇的粒径进行调整的工序是计算机根据存储于上述存储部的信息来输出用于调整上述粒径的控制信号的工序。

12.根据权利要求9或10所述的基板清洗方法，其特征在于，

上述气体团簇的照射量是每1平方厘米10¹¹数量级～10¹⁵数量级。

13.根据权利要求9或10所述的基板清洗方法，其特征在于，

压力比上述基板所处的处理气氛的压力高的区域的压力是0.3Mpa～5.0MPa。

14.根据权利要求9或10所述的基板清洗方法，其特征在于，

微粒信息包括将基板上的位置和微粒的粒径相关联而成的信息。

15.根据权利要求9或10所述的基板清洗方法，其特征在于，

将上述气体团簇的粒径调整为上述微粒的粒径的0.2倍～2倍。