[发明专利]粘合带用薄膜及粘合带有效
申请号: | 201380011399.7 | 申请日: | 2013-02-08 |
公开(公告)号: | CN104137231B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 由藤拓三;铃木俊隆;白井稚人;安藤雅彦;关口裕香;浅井量子;远藤明日香;林内梨惠 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B32B27/00;C09J7/02;C09J133/00;C09J201/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粘合 薄膜 | ||
1.一种粘合带用薄膜,其为在塑料薄膜的一面具备非粘合层的粘合带用薄膜,
该非粘合层的表面具有凹凸结构,
该非粘合层的表面的凸部分的由原子力显微镜得到的80℃下的弹性模量为0.2GPa以上。
2.根据权利要求1所述的粘合带用薄膜,其中,所述非粘合层的算术平均表面粗糙度Ra为0.1μm以上。
3.根据权利要求1或2所述的粘合带用薄膜,其中,所述非粘合层为聚硅氧烷和(甲基)丙烯酸系聚合物的混合层。
4.根据权利要求3所述的粘合带用薄膜,其中,所述(甲基)丙烯酸系聚合物的计算Tg为10℃以上。
5.根据权利要求3或4所述的粘合带用薄膜,其中,所述(甲基)丙烯酸系聚合物的SP值为9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5。
6.根据权利要求3~5中任一项所述的粘合带用薄膜,其中,所述非粘合层中的聚硅氧烷与(甲基)丙烯酸系聚合物的混合比以重量比计为聚硅氧烷:(甲基)丙烯酸系聚合物=1:50~50:1。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的粘合带用薄膜,其中,所述非粘合层具有相分离结构。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的粘合带用薄膜,其中,所述非粘合层的非粘合试验剥离力小于1.0N/20mm。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的粘合带用薄膜,其中,所述非粘合层的厚度为0.01μm~10μm。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的粘合带用薄膜,其中,所述塑料薄膜的根据JIS-K-7127测定的最大伸长率为100%以上。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的粘合带用薄膜,其中,所述塑料薄膜的厚度为20μm~200μm。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的粘合带用薄膜,其中,所述塑料薄膜包含聚氯乙烯。
13.一种粘合带,其在权利要求1~12中任一项所述的粘合带用薄膜中的所述塑料薄膜的与所述非粘合层相反的面具备粘合剂层。
14.根据权利要求13所述的粘合带,其中,所述粘合剂层包含至少1种(甲基)丙烯酸系聚合物。
15.根据权利要求13或14所述的粘合带,其中,所述粘合剂层的SP值为9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5。
16.根据权利要求13~15中任一项所述的粘合带,其在所述粘合剂层的表面具备剥离衬垫。
17.根据权利要求13~16中任一项所述的粘合带,其被用于半导体加工。
18.根据权利要求13~17中任一项所述的粘合带,其被用于LED切割用途。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造