[发明专利]具有集成的天线结构的半导体模块有效
申请号: | 201380011511.7 | 申请日: | 2013-01-18 |
公开(公告)号: | CN104145335B | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | D·米特尔施特拉斯;T·宾策尔 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H01L23/66 | 分类号: | H01L23/66 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 侯鸣慧 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 集成 天线 结构 半导体 模块 | ||
1.半导体模块,具有:
-一集成电路(18),所述集成电路包括至少一个振荡器(20)用于产生雷达信号;
-一接线层(26),用于所述集成电路(18)的外部连接;和
-集成在所述半导体模块(10)中的、用于发送和/或接收雷达信号的至少两个天线结构(14;16),其中,所述至少两个天线结构(14;16)中的至少一个天线结构与所述集成电路(18)连接;并且
其中,所述天线结构中的至少一个第一天线结构(14)布置在与所述天线结构中的至少一个第二天线结构(16)不同的高度上,
其特征在于,所述天线结构中的至少一个第一天线结构(14)在所述接线层(26)的高度区域之外埋入所述半导体模块(10)的壳体材料中,所述天线结构中的至少一个第二天线结构(16)布置在所述接线层(26)的高度区域中,其中,所述至少两个天线结构(14;16)是堆叠的天线结构,其中,所述至少两个天线结构(14;16)相对于所述集成电路(18)侧向错开地布置,其中,至少所述第一天线结构(14)侧向相对于形成所述集成电路(18)的半导体芯片错开地,在侧向在所述半导体芯片旁边的一区域中埋入所述半导体模块(10)的所提到的壳体材料中,其中,所述第一天线结构(14)作为寄生天线借助于电磁耦接通过所述第二天线结构(16)运行。
2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,所述半导体模块(10)具有一晶圆单元(22)和一接口层(25),其中,所述晶圆单元(22)具有一形成所述集成电路(18)的半导体芯片和一壳体层(24),所述壳体层通过所述半导体模块(10)的所提到的壳体材料来形成并且所述半导体芯片以及所述至少一个第一天线结构(14)被埋入到所述壳体层中,并且其中,所述接口层(25)具有所述接线层(26),所述接线层使所述集成电路(18)与所述接口层(25)的外部接头(28)连接。
3.根据权利要求2所述的半导体模块,其中,所述天线结构中的至少一个第二天线结构(16)布置在所述接口层(25)中。
4.根据权利要求1或2所述的半导体模块,其中,所述天线结构中的至少一个第二天线结构(16)与所述集成电路(18)连接。
5.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,在所述半导体模块中集成的多个天线结构(14)侧向相对于形成所述集成电路(18)的半导体芯片错开地,在侧向在所述半导体芯片旁边的一区域中埋入所述半导体模块(10)的所提到的壳体材料中。
6.雷达传感器,其具有一根据权利要求1至5之一所述的半导体模块。
7.机动车雷达系统,其具有一根据权利要求1至5之一所述的半导体模块。
8.用于制造半导体模块(10)的方法,所述半导体模块具有用于雷达信号的集成天线结构(14;16),所述方法具有下列步骤:
-提供(410)形式为集成电路(18)的半导体芯片,所述集成电路包括至少一个高频振荡器(20);和
-制造(412)所述半导体模块(10)的壳体的至少侧向邻接所述半导体芯片的壳体层(24),其中,制造所述壳体层(24)包括如下步骤:制造(414)所述壳体层(24)的部分层(24a);制造(416)该部分层(24a)上的至少一个第一天线结构(14);制造(418)所述壳体层(24)的遮盖所述第一天线结构(14)的另一部分层(24b);
其中,所述方法还包括下列步骤:
-制造(424)集成到所述半导体模块(10)中的至少一个第二天线结构(16);和
-制造(422)至少在所述壳体层(24)的表面上的一接线层(26),
其中,在制造至少一个第一天线结构(14)的步骤中,在所述接线层(26)的高度区域之外制造所述至少一个第一天线结构(14),
其中,在与所述至少一个第二天线结构(16)不同的高度平面上制造所述至少一个第一天线结构(14),
其中,所述天线结构中的至少一个第二天线结构(16)布置在所述接线层(26)的高度区域中,其中,所述至少两个天线结构(14;16)是堆叠的天线结构,其中,所述至少两个天线结构(14;16)相对于所述集成电路(18)侧向错开地布置,其中,至少所述第一天线结构(14)侧向相对于形成所述集成电路(18)的半导体芯片错开地,在侧向在所述半导体芯片旁边的一区域中埋入所述半导体模块(10)的所提到的壳体材料中,其中,所述第一天线结构(14)作为寄生天线借助于电磁耦接通过所述第二天线结构(16)运行。
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