[发明专利]ESD保护器件及其制造方法有效
申请号: | 201380011683.4 | 申请日: | 2013-02-23 |
公开(公告)号: | CN104145386A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 鹫见高弘;足立淳;筑泽孝之;石川久美子 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01T2/02 | 分类号: | H01T2/02;H01T1/20;H01T4/10;H01T4/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 俞丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | esd 保护 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种ESD保护器件,其特征在于,包括:
第一及第二放电电极,该第一及第二放电电极配置成彼此相对;
放电辅助电极,该放电辅助电极形成为横跨在所述第一及第二放电电极间;以及
绝缘体基材,该绝缘体基材对所述第一及第二放电电极和所述放电辅助电极进行保持,
所述放电辅助电极由具有核壳结构的多个金属粒子的集合体构成,所述核壳结构由以第一金属为主要成分的核部、及以包含第二金属的金属氧化物为主要成分的壳部构成,
所述壳部至少有一部分存在空孔。
2.如权利要求1所述的ESD保护器件,其特征在于,
所述核部在所述空孔附近具有凹陷。
3.如权利要求1或2所述的ESD保护器件,其特征在于,
所述多个金属粒子的集合体包含将多个所述金属粒子间进行结合的含玻璃质物质。
4.如权利要求1至3的任一项所述的ESD保护器件,其特征在于,
所述壳部的厚度为50~1500nm。
5.如权利要求1至4的任一项所述的ESD保护器件,其特征在于,
所述第二金属比所述第一金属更容易发生氧化。
6.如权利要求5所述的ESD保护器件,其特征在于,
所述第一金属是铜或以铜为主要成分的铜类合金。
7.如权利要求5或6所述的ESD保护器件,其特征在于,
包含所述第二金属的所述金属氧化物是从氧化铝、氧化硅、氧化镁及氧化镍中所选出的至少一种。
8.如权利要求5至7的任一项所述的ESD保护器件,其特征在于,
所述核部含有所述第二金属作为次要成分。
9.如权利要求1至8的任一项所述的ESD保护器件,其特征在于,
所述第一及第二放电电极和所述放电辅助电极配置于所述绝缘体基材的内部,所述绝缘体基材具有对所述第一及第二放电电极间的所述间隙进行配置的空洞,
所述ESD保护器件还包括第一及第二外部端子电极,该第一及第二外部端子电极形成在所述绝缘体基材的表面上,且分别与所述第一及第二放电电极进行电连接。
10.一种ESD保护器件的制造方法,其特征在于,包括:
准备合金粉末的工序,所述合金粉末由包含第一金属及比所述第一金属更容易发生氧化的第二金属的合金构成;
准备绝缘体基材的工序;
在所述绝缘体基材的表面或内部形成包含所述合金粉末的未烧成的放电辅助电极的工序;
在所述绝缘体基材的表面或内部形成第一及第二放电电极的工序,所述第一及第二放电电极以彼此相对的方式配置于所述放电辅助电极上;以及
将所述未烧成的放电辅助电极进行烧成的工序,
所述进行烧成的工序包括对构成所述合金粉末的各合金粒子进行以下处理的工序:
在具有使所述第一金属不发生氧化而所述第二金属发生氧化的氧浓度的气氛下进行热处理的工序,以使所述第二金属向该合金粒子的表面移动,并在到达表面的时刻发生氧化,从而成为包含所述第二金属的金属氧化物,以该金属氧化物为主要成分而形成壳部,并且,以所述第二金属向所述合金粒子的表面移动而残留下来的所述第一金属为主要成分而形成核部;
接着,进行热处理的工序,使得以所述第一金属为主要成分的核部与以包含所述第二金属的金属氧化物为主要成分的壳部相接合;
然后,进行降温工序,使以所述第一金属为主要成分的核部发生的收缩大于以包含所述第二金属的金属氧化物为主要成分的壳部发生的收缩,从而在所述壳部内形成空孔。
11.如权利要求10所述的ESD保护器件的制造方法,其特征在于,
准备所述合金粉末的工序包含使用喷雾法来制造所述合金粉末的工序。
12.如权利要求10或11所述的ESD保护器件的制造方法,其特征在于,
准备所述绝缘体基材的工序包含准备多个陶瓷生片的工序,所述多个陶瓷生片包含第一及第二陶瓷生片,
在所述第一陶瓷生片上实施形成所述未烧成的放电辅助电极的工序以及形成所述第一及第二放电电极的工序,
所述ESD保护器件的制造方法还包括:
以覆盖所述第一及第二放电电极间的间隙的方式形成烧去层的工序;
以覆盖所述未烧成的放电辅助电极、所述第一及第二放电电极以及所述烧去层的方式在所述第一陶瓷生片上层叠所述第二陶瓷生片以获得未烧成的所述绝缘体基材的工序;以及
在所述绝缘体基材的表面上形成分别与所述第一及第二放电电极进行电连接的第一及第二外部端子电极的工序,
所述进行烧成的工序包括使所述陶瓷生片烧结而获得所述绝缘体基材的工序、以及烧去所述烧去层的工序。
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