[发明专利]含硅膜和含硅膜形成方法

权利要求书

1.一种含硅膜，所述含硅膜具备：通过等离子体CVD法形成的包含硅元素且氧浓度为0元素％以上且小于10元素％的第1化学沉积层；和通过等离子体CVD法形成的包含硅元素且氧浓度超过35元素％且为70元素％以下的第2化学沉积层，其中，

该第1化学沉积层的厚度L1与该第2化学沉积层的厚度L2之比L2/L1为1.5～9。

2.如权利要求1所述的含硅膜，其中，该第1化学沉积层的厚度L1为5nm～400nm，该第2化学沉积层的厚度L2为5nm～500nm。

3.如权利要求1或2所述的含硅膜，其中，交替地形成有两层以上的所述第1化学沉积层和第2化学沉积层。

4.如权利要求3所述的含硅膜，其中，所述两层以上的第1化学沉积层的总厚度为5n～500nm，n为第1化学沉积层的层数。

5.一种层积体，其具备权利要求1～4的任一项所述的含硅膜和基材。

6.如权利要求5所述的层积体，其中，所述基材包含选自由Ag、Al、Mo、ZnO、ITO、BZO、AZO以及GZO组成的组中的任一种的电极膜。

7.一种有机电致发光元件或薄膜太阳能电池单元，其包含权利要求1～6所述的含硅膜。