[发明专利]氧氮化物荧光体粉末有效
申请号: | 201380011911.8 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN104145003A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 上田孝之;藤永昌孝;酒井拓马;治田慎辅 | 申请(专利权)人: | 宇部兴产株式会社 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64;C09K11/08 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 吴宗颐 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化物 荧光 粉末 | ||
1.氧氮化物荧光体粉末,其特征在于,由下述组成式表示,含有α型塞隆和氮化铝,
Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z
式中,x1、x2、y、z为0<x1≤2.50、0.01≤x2≤0.20、0<y≤2.3和1.5≤z≤3.5,或者
x1、x2、y、z为0<x1≤2.70、0.05≤x2≤0.20、2.3≤y≤5.5和1≤z≤2.5。
2.权利要求1所述的氧氮化物荧光体粉末,其特征在于,所述x1、x2、y和z为0<x1≤2.50、0.01≤x2≤0.20、0.5<y≤2.0、2.5≤z≤3.2。
3.权利要求1所述的氧氮化物荧光体粉末,其特征在于,氮化铝的含量大于0重量%且小于15重量%。
4.权利要求1~3任一项所述的氧氮化物荧光体粉末,其特征在于,构成氧氮化物荧光体粉末的α型塞隆结晶相的晶格常数为
5.权利要求1~4任一项所述的氧氮化物荧光体粉末,其特征在于,通过以450nm波长的光进行激发,发出峰值波长处于580nm~600nm的波长区域的荧光,此时的外量子效率为60%以上。
6.权利要求1所述的氧氮化物荧光体粉末,其特征在于,在所述组成式中,2.3<y≤2.5,氮化铝的含量大于0重量%且小于15重量%。
7.权利要求1所述的氧氮化物荧光体粉末,其特征在于,在所述组成式中,2.5<y≤5.5,氮化铝的含量大于0重量%且小于32重量%。
8.权利要求1、6~7任一项所述的氧氮化物荧光体粉末,其特征在于,在所述组成式中,2.3<y≤4.0,构成氧氮化物荧光体粉末的α型塞隆结晶相的晶格常数为
9.权利要求1、6~7任一项所述的氧氮化物荧光体粉末,其特征在于,在所述组成式中,4.0<y≤5.5,构成氧氮化物荧光体粉末的α型塞隆结晶相的晶格常数为的范围。
10.权利要求1、6~9任一项所述的氧氮化物荧光体粉末,其特征在于,通过以450nm波长的光进行激发,发出峰值波长处于590nm~605nm的波长区域的荧光,此时的外量子效率为60%以上。
11.权利要求1~10任一项所述的氧氮化物荧光体粉末,其特征在于,由激光衍射/散射式粒度分布测定装置测定的粒度分布曲线中的50%粒径(D50)为10.0~20.0μm,且比表面积为0.2~0.6m2/g。
12.氧氮化物荧光体粉末的制造方法,其特征在于,混合并焙烧作为硅源的物质、作为铝源的物质、作为钙源的物质和作为铕源的物质,使之成为下述组成式所表示的组成,由此制造含有α型塞隆和氮化铝的氧氮化物荧光体粉末,
Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z
式中,x1、x2、y、z为0<x1≤2.50、0.01≤x2≤0.20、0<y≤2.3和1.5≤z≤3.5,或者
x1、x2、y、z为0<x1≤2.70、0.05≤x2≤0.20、2.3≤y≤5.5和1≤z≤2.5。
13.权利要求12所述的氧氮化物荧光体粉末的制造方法,其特征在于,在惰性气体气氛中、在1500~2000℃的温度范围内进行所述焙烧。
14.权利要求13或14所述的氧氮化物荧光体粉末的制造方法,其特征在于,进一步在惰性气体气氛中、在1100~1600℃的温度范围内热处理由所述焙烧得到的焙烧物。
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