[发明专利]热塑性的半导体组合物有效

专利信息
申请号: 201380012274.6 申请日: 2013-01-29
公开(公告)号: CN104159978B 公开(公告)日: 2017-09-08
发明(设计)人: M·埃希吉尔;J·M·库根;S·S·森格普塔;N·W·邓丘斯 申请(专利权)人: 陶氏环球技术有限责任公司
主分类号: C08L101/10 分类号: C08L101/10;C09D201/10
代理公司: 北京市嘉元知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11484 代理人: 张永新
地址: 美国密*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 塑性 半导体 组合
【权利要求书】:

1.一种可交联的、半导体的、不含过氧化物的热塑性组合物,其在90℃具有小于1000欧姆-厘米的稳定体积电阻率,基于该组合物的重量,其包含:

A.60-90wt%硅烷官能化的聚乙烯;

B.0.5-20wt%包含两个或更多个官能端基的有机基聚硅氧烷;和

C.10-20wt%炭黑,其平均粒度为50nm或更小,BET比表面积为700-1250m2/g,以及DBP吸油量为300-500ml/100g;和

D.0.05–0.2wt%交联催化剂。

2.权利要求1的组合物,其中该热塑性组合物在90℃具有小于500欧姆-厘米的稳定体积电阻率。

3.权利要求1的组合物,其中该硅烷官能化的聚乙烯是α-烯烃含量为15至50wt%的硅烷官能化乙烯/α-烯烃互聚物,基于该互聚物的重量。

4.权利要求1的组合物,其中该聚乙烯的硅烷官能度占聚乙烯总重量的至少0.5wt%。

5.权利要求1的组合物,其中该有机基聚硅氧烷为包含官能端基的低聚物,所述包含官能端基的低聚物包含2至100,000或更多个通式为R2SiO的单元,其中R均独立选自包含1-12个碳原子的烷基,包含2-12个碳原子的链烯基,芳基,以及包含1-12个碳原子的氟取代的烷基。

6.一种制备在90℃具有小于1000欧姆-厘米的稳定体积电阻率的交联的、半导体的热塑性制品的方法,该方法包含以下步骤:

A.将硅烷官能化的聚乙烯和包含两个或更多个官能端基的有机基聚硅氧烷结合,从而形成可交联的化合物;

B.在环境条件下,将(1)可交联的化合物(A)和(2)炭黑结合,从而形成第一混合物,该混合物包含80-90wt%可交联的化合物(A)和10-20wt%炭黑,基于第一混合物的重量,其中所述炭黑的平均粒度为50nm或更小,BET比表面积为700-1250m2/g,以及DBP吸油量为300-500ml/100g;

C.将第一混合物与0.05-0.2wt%的交联催化剂结合,从而形成均匀的第二混合物;

D.在非交联条件下,将第二混合物成型为可交联的、半导体的热塑性制品;以及

E.使该成型的、可交联的、半导体的热塑性制品经历交联条件。

7.权利要求6的方法,其包含在将可交联的化合物(A)与所述炭黑混合之前将可交联的化合物(A)造粒的额外步骤。

8.权利要求6的方法,其中该交联催化剂作为预混合母料加入。

9.一种制备不含交联催化剂的可交联组合物的在线方法,该方法包括以下步骤:(a)通过在接枝条件下将聚乙烯和硅烷化合物接枝,来制备硅烷官能化的聚乙烯;(b)将硅烷官能化的聚乙烯和有机基聚硅氧烷混合;(c)将高电导率炭黑和步骤(b)中形成的混合物混合,其中所述炭黑的平均粒度为50nm或更小,BET比表面积为700-1250m2/g,以及DBP吸油量为300-500ml/100g;以及(d)在不加入交联催化剂的条件下,将步骤(c)中形成的混合物进行回收并造粒,步骤(c)中形成的混合物包含10-20wt%高电导率炭黑。

10.通过权利要求9的方法制备的粒料。

11.一种粒料,其包含:

A.60-90wt%硅烷官能化的聚乙烯;

B.0.5-20wt%包含两个或更多个官能端基的有机基聚硅氧烷;和

C.10-20wt%高电导率炭黑,其中所述炭黑的平均粒度为50nm或更小,BET比表面积为700-1250m2/g,以及DBP吸油量为300-500ml/100g。

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