[发明专利]用于临时接合超薄晶片的方法和装置

权利要求书

1.一种用于临时接合两个晶片表面的方法，包括：

提供第一晶片，所述第一晶片包括彼此相对的第一表面和第二表面；

提供第二晶片，所述第二晶片包括彼此相对的第一表面和第二表面；

将第一粘合剂层涂覆在所述第一晶片的第一表面上；

将所述第一粘合剂层固化，从而生成固化的第一粘合剂层；

将湿的第二粘合剂层涂敷在所述第二晶片的第一表面上；

所述湿的第二粘合剂层与所述固化的第一粘合剂层相接触；

将所述第二粘合剂层固化，从而形成所述第一晶片与所述第二晶片之间的临时接合；以及，

提供用于移动所述晶片的上卡盘组件和下卡盘组件，所述上卡盘组件和所述下卡盘组件分别包括小作用力的上卡盘和下卡盘。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二粘合剂层通过使一块热板与第二晶片的第二表面接触来固化。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一粘合剂层和所述第二粘合剂层通过紫外(UV)固化工艺、热固化工艺、压力固化工艺、催化固化工艺、化学固化工艺或时间诱导固化工艺中的至少一种进行固化。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一粘合剂层通过旋转涂覆施加在第一晶片的第一表面上。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一粘合剂层包括硅酮弹性体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中第一粘合剂层和第二粘合剂层固化的温度范围是80℃～160℃，时间范围是1～15分钟。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二粘合剂层通过首先对接合器模组抽真空，然后通过充气使接合器模组回复至大气压而使所述第二粘合剂层与所述固化的第一粘合剂层相接触。

8.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括将临时接合的所述第一晶片和所述第二晶片进行固化的工序。

9.根据权利要求8所述的方法，其中临时接合的所述第一晶片和所述第二晶片的固化的温度范围是120℃～220℃，固化时间范围是1～15分钟。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将所述第一晶片的第二表面减薄并将减薄后第一晶片从第二晶片上剥离的工序。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一粘合剂层的厚度小于110μm，其中所述第二粘合剂层的厚度小于30μm。

12.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括：提供一个接合器模组，包括一个上卡盘组件和一个安装在下部且与上卡盘组件相对的下卡盘组件；将所述第一晶片插入接合器模组内并由所述上卡盘组件保持住第一晶片，使得带有固化的第一粘合剂层的第一表面朝下；将所述第二晶片插入所述接合器模组内并将所述第二晶片放置在所述下卡盘组件上，使第二粘合剂层朝上并与所述第一粘合剂层相对；向上移动所述下卡盘组件，并使所述第二粘合剂层与固化的所述第一粘合剂层相接触。

13.根据权利要求1所述的方法，该方法进一步包括：提供一个接合器模组，所述接合器模组包括一个上卡盘组件和一个设置在下方并与上卡盘组件相对的下卡盘组件；将所述第一晶片插入所述接合器模组内并将所述第一晶片放置在所述下卡盘组件上，使得带有固化的第一粘合剂层的第一表面朝上；将所述第二晶片插入所述接合器模组内并通过上卡盘组件将所述第二晶片保持住，使得所述第二粘合剂层面朝下并与所述第一粘合剂层相对；将所述下卡盘组件向上移动，并使所述第一粘合剂层与所述第二粘合剂层相接触。