[发明专利]图案形成方法有效
申请号: | 201380012381.9 | 申请日: | 2013-02-20 |
公开(公告)号: | CN104160487A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 宫本公明 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;B05D1/26;H01L21/288;H01L21/336;H01L21/768;H01L29/786 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香兰;孟伟青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 形成 方法 | ||
1.一种图案形成方法,其特征在于,该图案形成方法具有:
第1工序,在具有显示防液性的凹部和显示亲液性的凸部的凹凸结构体上按照覆盖所述凹部和所述凸部的方式形成表面平坦的膜;和
第2工序,使所述膜干燥从而形成图案。
2.如权利要求1所述的图案形成方法,其中,所述膜为具有亲液性的膜、具有防液性的膜和具有亲疏液性转换功能的亲疏液性转换膜中的任一种。
3.如权利要求2所述的图案形成方法,其中,所述亲疏液性转换膜是被紫外线照射了的区域变为亲液性且膜厚减少的膜。
4.如权利要求1~3中任一项所述的图案形成方法,其中,所述凸部由电气布线或半导体用的电极构成,所述凹部由形成有所述电气布线或所述半导体用的电极的支撑体或绝缘层构成。
5.如权利要求1~4中任一项所述的图案形成方法,其中,将表面张力设定为σ(N/m)、将膜厚设定为δ(m)、将由所述显示防液性的凹部和所述显示亲液性的凸部构成的凹凸的间距设定为p(m)、将哈梅克常数设定为aH(J)时,所述膜使用满足σ>0.153p1.947×δ-3.84×|aH|1.022的涂布液来形成。
6.如权利要求1~5中任一项所述的图案形成方法,其中,在所述第1工序中,使用喷墨法,使所述显示防液性的凹部中的滴注量多于所述显示亲液性的凸部来形成所述表面平坦的膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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