[发明专利]通过与预热气体接触使液体卤素气化

权利要求书

1.一种用于气化液体单质卤素的方法，其包括：

a)在不存在卤素的情况下将加热气体预热至预热温度，从而产生预热的加热气体；

b)使液体单质卤素的进料与所述预热的加热气体直接接触；和

c)用所述预热的加热气体将所述液体单质卤素的所述进料加热至足以将所述液体单质卤素的所述进料的至少一部分气化为一定量的单质卤素蒸气的气化温度，从而形成包括所述加热气体和所述量的所述单质卤素蒸气的气体混合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述加热气体在不存在水的情况下预热。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述单质卤素为溴。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述加热气体包括烃。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述加热气体具有主要摩尔分数的甲烷。

6.根据权利要求1所述的方法，其中当用所述预热的加热气体加热所述液体单质卤素时，所述加热气体基本上不与所述单质卤素反应。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述气体混合物的所述加热中使所述单质卤素蒸气饱和。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述预热温度小于所述单质卤素和所述加热气体的卤化引发温度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述预热温度大于或等于所述液体单质卤素的沸点。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述预热温度在约200℃至约300℃的范围内。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述预热温度在约275℃至约300℃的范围内。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述液体单质卤素的所述进料为第一进料，所述预热温度为第一预热温度，所述气化温度为第一气化温度，所述单质卤素蒸气的所述量为第一量并且所述气体混合物为具有第一卤素浓度的第一气体混合物，并且其中所述方法还包括：

d)将所述第一气体混合物预热至第二预热温度，从而产生第一预热气体混合物；

e)使所述液体单质卤素的第二进料与所述第一预热气体混合物直接接触；和

f)用所述第一预热气体混合物将所述液体单质卤素的所述第二进料加热至足以将所述液体单质卤素的所述第二进料的至少一部分气化为第二量的所述单质卤素蒸气的第二气化温度，从而形成包括所述加热气体和所述第一和第二量的所述单质卤素蒸气的第二气体混合物。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二气体混合物具有基本上大于所述第一卤素浓度的第二卤素浓度。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一和第二预热温度小于或等于约200℃。

15.根据权利要求12所述的方法，其中步骤a)、b)和c)构成所述方法的第一阶段并且步骤d)、e)和f)构成所述方法第二阶段，并且其中所述方法还包括通过用所述第二气体混合物和所述液体单质卤素的第三进料来重复步骤d)、e)和f)来进行所述方法的第三阶段以生产第三气体混合物。

16.根据权利要求12所述的方法，其中在所述液体单质卤素的所述部分气化为所述第一量的所述单质卤素蒸气之后，所述液体单质卤素的所述第一进料的液体残余部分剩余，并且其中所述方法还包括将所述液体单质卤素的所述第一进料的所述液体残余部分与所述单质卤素蒸气的所述第一量分离。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述液体单质卤素的所述第二进料包括所述液体单质卤素的所述第一进料的所述液体残余部分的至少一部分。

18.一种用于将气态较低分子量烷烃转化为液体较高分子量烃的方法，其包括：

在不存在卤素的情况下将加热气体预热至预热温度，从而产生预热的加热气体；

使液体单质卤素的进料与所述预热的加热气体直接接触；

用所述预热的加热气体将所述液体单质卤素的所述进料加热至足以将所述液体单质卤素的所述进料的至少一部分气化为单质卤素蒸气的气化温度，从而形成包括所述加热气体和所述单质卤素蒸气的气体混合物；

使所述气体混合物反应以形成烷基卤；和

使所述烷基卤反应以形成液体较高分子量烃。