[发明专利]用于钴合金无电沉积的碱性镀浴

权利要求书

1.一种用于三元和四元钴合金Co-M-P、Co-M-B及Co-M-B-P的无电沉积的水性碱性镀浴组合物，其中M选自由Mn、Zr、Re、Mo、Ta及W组成的群组，所述镀浴包含：

(i)钴离子来源，

(ii)M离子来源，

(iii)至少一种络合剂，其选自包含羧酸、羟基羧酸、氨基羧酸及上述各物的盐的群组，并且其中所述至少一种络合剂的浓度在0.01到0.3mol/l的范围内，

(iv)至少一种还原剂，其选自由次磷酸根离子、基于硼烷的还原剂及其混合物组成的群组，及

(v)根据式(1)的稳定剂：

其中X选自O和NR⁴，n在1到6的范围内，m在1到8的范围内；R¹、R²、R³及R⁴独立地选自氢和C₁到C₄烷基；Y选自SO₃R⁵、CO₂R⁵及PO₃R⁵₂，并且R⁵选自氢、钠、钾及铵，其中所述根据式(1)的稳定剂的浓度在0.05到5.0mmol/l的范围内。

2.根据权利要求1所述的水性碱性镀浴，其中Y为SO₃R⁵，其中R⁵选自氢、钠、钾及铵。

3.根据前述权利要求中任一权利要求所述的水性碱性镀浴，其中所述镀浴的pH值为7.5到12。

4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的水性碱性镀浴，其中钴离子的浓度在0.01到0.2mol/l的范围内。

5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的水性碱性镀浴，其中M离子的浓度在0.01到0.2mol/l的范围内。

6.根据前述权利要求中任一权利要求所述的水性碱性镀浴，其中M选自由Mo和W组成的群组。

7.根据前述权利要求中任一权利要求所述的水性碱性镀浴，其中所述至少一种还原剂的浓度在0.01到0.5mol/l的范围内。

8.根据前述权利要求中任一权利要求所述的水性碱性镀浴，其中所述至少一种还原剂为次磷酸根离子。

9.一种用于三元和四元钴合金Co-M-P、Co-M-B及Co-M-B-P的无电沉积的方法，其中M选自由Mn、Zr、Re、Mo、Ta及W组成的群组，所述方法依序包含以下步骤：

(i)提供衬底，

(ii)将所述衬底浸没于根据权利要求1到8中任一权利要求所述的水性碱性镀浴中，

及由此将三元或四元钴合金Co-M-P、Co-M-B及Co-M-B-P沉积到所述衬底上，其中M选自由Mn、Zr、Re、Mo、Ta及W组成的群组。