[发明专利]具有改善的光提取效率的发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

氮化镓基板，具有上部面和下部面；

氮化镓系半导体层叠结构体，位于所述基板的下部面，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层，

其中，所述氮化镓基板在所述上部面包含具有突出部和凹入部的主图案，并具备形成于所述主图案的突出部上的粗糙化的表面。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，所述氮化镓基板的侧面包括倾斜面，而且所述倾斜面倾斜为在从所述氮化镓基板的上部面侧趋向下部面侧时使氮化镓基板的宽度增加。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，所述倾斜面在所述氮化镓基板的上部面连续。

4.如权利要求2所述的发光二极管，其中，所述氮化镓基板的侧面还包括从所述倾斜面延续的垂直面。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其中，还包括位于所述第二导电型半导体层下部的反射器，而且所述第二导电型半导体层位于比所述第一导电型半导体层更加远离所述基板之处。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其中，在所述氮化镓基板的上部面设置有多个突出部，且所述突出部的平均高度在5～20um范围内。

7.如权利要求6所述的发光二极管，其中，所述粗糙化的表面的表面粗糙度Ra在0.1um至1um范围内。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其中，所述凹入部的内壁面相对于所述基板的下部面倾斜85～90度。

9.如权利要求8所述的发光二极管，其中，所述氮化镓基板具有形成于所述凹入部的粗糙化的表面。

10.如权利要求9所述的发光二极管，其中，形成于所述凹入部的粗糙化的表面的表面粗糙度Ra在0.1um至1um范围内。

11.一种发光二极管制造方法，包括如下步骤：

在氮化镓基板上生长半导体层；

对所述半导体层的相反侧的所述氮化镓基板面进行图案化而形成具有突出部和凹入部的主图案；

对形成所述主图案的氮化镓基板的表面进行湿式蚀刻，从而在所述突出部上形成粗糙化的表面。

12.如权利要求11所述的发光二极管制造方法，其中，在形成所述粗糙化的表面的步骤之后，还包括部分性地除去所述基板而在所述基板上形成倾斜面的步骤。

13.如权利要求12所述的发光二极管制造方法，其中，所述倾斜面利用刀具而形成。

14.如权利要求12所述的发光二极管制造方法，其中，还包括在所述半导体层上形成反射器的步骤。

15.如权利要求11所述的发光二极管制造方法，其中，形成所述主图案的步骤利用干式蚀刻或湿式蚀刻而执行。

16.如权利要求15所述的发光二极管制造方法，其中，所述湿式蚀刻利用硫酸与磷酸的混合溶液而执行。

17.如权利要求16所述的发光二极管制造方法，其中，在执行所述湿式蚀刻之前，还包括形成用于保护所述半导体层的蚀刻掩模层的步骤。

18.如权利要求11所述的发光二极管制造方法，其中，形成所述粗糙化的表面的步骤利用湿式蚀刻而执行。

19.如权利要求18所述的发光二极管制造方法，其中，所述湿式蚀刻利用KOH或NaOH的沸腾溶液而执行。

20.如权利要求18所述的发光二极管制造方法，其中，所述湿式蚀刻利用脱离子水、NaOH与H₂O₂的溶液而执行。