[发明专利]半导体装置的驱动方法

权利要求书

1.一种包括含有光电二极管、第一晶体管和第二晶体管的光电传感器的半导体装置的驱动方法，

其中所述第一晶体管的第一端子与所述光电二极管的第二端子电连接，并且

其中所述第一晶体管的第二端子与所述第二晶体管的栅极电连接，

其中所述方法包括如下步骤：

从第一时刻到第二时刻通过对所述光电二极管的第一端子供应第一信号进行第一复位工作；

从所述第二时刻到第四时刻使用来自光源的第一光进行对象物的第一照射；

从所述第二时刻到所述第四时刻通过对所述第一晶体管的栅极供应第二信号以检测被所述对象物反射的所述第一光来进行第一拍摄；

重复进行所述第一照射和所述第一拍摄n(n是2以上的自然数)次；

从第十二时刻到第十五时刻使用来自所述光源的第二光进行所述对象物的第二照射；

从第十四时刻到所述第十五时刻通过对所述光电二极管的所述第一端子供应所述第一信号进行第二复位工作；

从所述第十五时刻到第十七时刻通过对所述第一晶体管的所述栅极供应所述第二信号以检测被所述对象物反射的所述第二光来进行第二拍摄；以及

重复进行所述第二照射和所述第二拍摄n次，

其中从第三时刻到第五时刻被所述对象物反射的所述第一光入射到所述光电二极管中，

其中从第十三时刻到所述第十六时刻被所述对象物反射的所述第二光入射到所述光电二极管中，

其中，从所述第二时刻到所述第四时刻的时间长度和从所述第十二时刻到所述第十五时刻的时间长度相同，并且

其中从所述第二时刻到所述第三时刻的时间长度、从所述第四时刻到所述第五时刻的时间长度、从所述第十二时刻到所述第十三时刻的时间长度和从所述第十五时刻到所述第十六时刻的时间长度相同。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的驱动方法，

其中所述第一晶体管包括含有沟道形成区域的氧化物半导体层。

3.一种包括彼此相邻的第一光电传感器和第二光电传感器的半导体装置的驱动方法，所述第一光电传感器包括第一光电二极管，所述第二光电传感器包括第二光电二极管，所述半导体装置的驱动方法包括如下步骤：

从第一时刻到第二时刻通过对所述第一光电二极管的第一端子供应第一信号进行针对所述第一光电传感器的第一复位工作；

从所述第二时刻到第五时刻使用来自光源的第一光进行对象物的第一照射；

从所述第二时刻到所述第五时刻通过检测被所述对象物反射的所述第一光进行针对所述第一光电传感器的第一拍摄；

从第四时刻到所述第五时刻通过对所述第二光电二极管的第一端子供应所述第一信号进行针对所述第二光电传感器的第二复位工作；

从所述第五时刻到第六时刻通过检测被所述对象物反射的所述第一光进行针对所述第二光电传感器的第二拍摄；以及

重复进行所述第一照射、所述第一拍摄和所述第二拍摄n(n是2以上的自然数)次。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的驱动方法，

其中从第三时刻到所述第六时刻被所述对象物反射的所述第一光入射到所述第一光电二极管和所述第二光电二极管中，

其中从所述第二时刻到所述第三时刻的时间长度和从所述第五时刻到所述第六时刻的时间长度相同。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的驱动方法，

其中所述第一光电传感器包括第一晶体管和第二晶体管，

其中所述第二光电传感器包括第三晶体管和第四晶体管，

其中所述第一晶体管的第一端子与所述第一光电二极管的第二端子电连接，

其中所述第一晶体管的第二端子与所述第二晶体管的栅极电连接，

其中所述第三晶体管的第一端子与所述第二光电二极管的第二端子电连接，

其中所述第三晶体管的第二端子与所述第四晶体管的栅极电连接，并且

其中所述方法包括如下步骤：

从所述第二时刻到所述第五时刻通过对所述第一晶体管的栅极供应第二信号进行针对所述第一光电传感器的所述第一拍摄；以及

从所述第五时刻到第七时刻通过对所述第三晶体管的栅极供应所述第二信号进行针对所述第二光电传感器的所述第二拍摄。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的驱动方法，

其中所述第一晶体管包括含有沟道形成区域的氧化物半导体层，并且，

其中所述第三晶体管包括含有沟道形成区域的氧化物半导体层。