[发明专利]EUV范围的反射镜、制造该反射镜的方法及包含该反射镜的投射曝光设备

权利要求书

1.用于EUV波长范围的反射镜(1)，对于0°和25°之间的至少一个入射角具有大于40％的反射率，包含：基板(S)和层布置，其中，所述层布置包含至少一个非金属单独层，所述非金属单独层包含阻挡层(B)、高折射率层(H)，

其中，所述层布置包含至少一个层子系统(P‘)，所述至少一个层子系统由至少两个周期(P)的周期序列构成，

其中，所述周期(P)包含由不同材料构成的两个单独层，分别用于高折射率层(H)和低折射率层(L)，

其中，所述周期(P)的所述两个单独层(L，H)中的用于所述高折射率层(H)的一个的材料为硅，所述两个单独层(L,H)中的用于所述低折射率层(L)的另一个的材料为钼或钌，以及其中，所述至少一个层子系统(P‘)的所述至少两个周期(P)中的每一个中的所述两个单独层之间通过至少一个阻挡层(B)分隔开，所述阻挡层(B)由从以下材料组中选择的材料中的一种或多种或由以下材料组构成的化合物中的一种或多种材料构成：B₄C、C、Si氮化物、Si碳化物、Si硼化物、Mo氮化物、Mo碳化物、Mo硼化物、Ru氮化物、Ru碳化物和Ru硼化物，

其特征在于，所述非金属单独层掺杂有介于10ppb至10％之间的杂质原子，使得所述非金属单独层获得大于6×10¹⁰cm^-3的电荷载流子密度和/或大于1×10^-3S/m的电导率。

2.根据权利要求1所述的用于EUV波长范围的反射镜(1)，其中所述非金属单独层掺杂有介于100ppb至0.1％之间的杂质原子，使得所述非金属单独层获得大于6×10¹³cm^-3的电荷载流子密度和/或大于1S/m的电导率。

3.根据权利要求1或2所述的用于EUV波长范围的反射镜(1)，其中所述非金属单独层还包含终止层(M)。

4.根据权利要求1或2所述的用于EUV波长范围的反射镜(1)，

其中，给所述至少一个非金属单独层掺杂杂质原子是通过来自元素周期表的V族的至少一个元素的原子实现的。

5.根据权利要求1或2所述的用于EUV波长范围的反射镜(1)，

其中，所述层布置具有小于200nm的总厚度，所述层子系统(P‘)的高折射率层(H)掺杂有杂质原子。

6.根据权利要求1或2中任一项所述的用于EUV波长范围的反射镜(1)，

其中，在所述反射镜的光学使用表面的位置处，在以来自所述EUV波长范围的剂量大于10kJ/mm²的光照射之后，所述反射镜的对于正入射的介于12nm和14nm之间反射光谱内的平均反射波长与在12nm和14nm之间的光源平均发射波长偏离小于0.25nm。

7.根据权利要求1或2中任一项所述的用于EUV波长范围的反射镜(1)，

其中，在所述反射镜的光学使用表面的位置处，在以来自所述EUV波长范围的剂量大于10kJ/mm²的光照射之后，所述反射镜的对于正入射的介于12nm和14nm之间反射光谱内的平均反射波长与在12nm和14nm之间的光源平均发射波长偏离小于0.15nm。

8.根据权利要求6所述的用于EUV波长范围的反射镜(1)，

其中，包含EUV光源的聚光反射镜和/或EUV照明系统的反射镜，并且其中，所述平均反射波长与所述平均发射波长的偏离小于0.05nm。

9.根据权利要求1或2所述的用于EUV波长范围的反射镜(1)，

其中，所述层子系统(P‘)的离所述基板最远的至少5个所述周期的由硅构成的所有所述单独层掺杂有介于10ppb与10％之间的杂质原子。

10.根据权利要求1或2所述的用于EUV波长范围的反射镜(1)，

其中，所述层子系统(P‘)的离所述基板最远的至少10个所述周期的由硅构成的所有所述单独层掺杂有介于10ppb与10％之间的杂质原子。

11.根据权利要求1或2所述的用于EUV波长范围的反射镜(1)，

其中，终止所述层布置的终止层(M)的表面粗糙度小于0.2nm rms HSFR。