[发明专利]具有闪存与ROM存储单元的存储器模块有效
申请号: | 201380013172.6 | 申请日: | 2013-03-04 |
公开(公告)号: | CN104160451B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | K·K·沃尔什;P·B·帕特森;G·W·本顿;J·D·威尔金森 | 申请(专利权)人: | 美敦力公司 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04;G11C17/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 张欣 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 集成 rom 存储 单元 闪存 | ||
1.一种配置为存储多个数据位的存储器阵列,包括:
多个闪存单元;
多个ROM存储单元;以及
操作地耦合到所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元的寻址电路,所述寻址电路被配置为寻址所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元二者,
其中所述多个数据位被排列在位线中;其中所述多个闪存单元具有闪存位线地址间隔,其中所述多个ROM存储单元具有ROM位线地址间隔,并且其中所述多个闪存单元的闪存位线地址间隔近似等于所述多个ROM存储单元的ROM位线地址间隔。
2.根据权利要求1所述的存储器阵列,进一步包括操作地耦合到所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元二者的读取电路,所述读取电路被配置为读取所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元二者。
3.根据权利要求2所述的存储器阵列,其中所述存储器阵列由单个存储器阵列组成,并且其中所述单个存储器阵列包括所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元二者。
4.根据权利要求3所述的存储器阵列,其中所述存储器阵列进一步包括开销电路,所述开销电路包括电源、电压发生器和寻址模块的至少其中之一,所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元二者共享所述开销电路。
5.一种提供配置为存储多个数据位的存储器阵列的方法,包括步骤:
在单个阵列中提供多个闪存单元和多个ROM存储单元;以及
提供寻址电路,所述寻址电路操作地耦合到所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元二者,并且被配置为寻址所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元二者,
其中所述多个数据位被排列在位线中;其中所述多个闪存单元具有闪存位线地址间隔,其中所述多个ROM存储单元具有ROM位线地址间隔,并且其中所述多个闪存单元的闪存位线地址间隔近似等于所述多个ROM存储单元的ROM位线地址间隔。
6.根据权利要求5所述的方法,进一步包括提供读取电路的步骤,所述读取电路操作地耦合到所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元二者,所述读取电路被配置为读取所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元二者。
7.根据权利要求6所述的方法,进一步包括提供开销电路的步骤,所述开销电路包括电源、电压发生器和寻址模块的至少其中之一,所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元二者共享所述开销电路。
8.一种使用配置为存储多个数据位的存储器阵列的方法,所述存储器阵列在单个阵列中具有多个闪存单元和多个ROM存储单元,该方法包括步骤:
利用所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元二者公用的寻址电路来寻址所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元二者;
利用所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元二者公用的读取电路来读取所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元二者,
其中所述多个数据位被排列在位线中;其中所述多个闪存单元具有闪存位线地址间隔,其中所述多个ROM存储单元具有ROM位线地址间隔,并且其中所述多个闪存单元的闪存位线地址间隔近似等于所述多个ROM存储单元的ROM位线地址间隔。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述存储器阵列具有开销电路,所述开销电路包括电源、电压发生器和寻址模块的至少其中之一,所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元二者共享所述开销电路。
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