[发明专利]热敏电阻用金属氮化物膜及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器无效
| 申请号： | 201380013405.2 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104170031A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 田中宽;藤田利晃;长友宪昭;藤原和崇;稻叶均 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热敏电阻 金属 氮化物 及其 制造 方法 以及 薄膜 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种热敏电阻用金属氮化物膜，所述金属氮化物膜用于热敏电阻，其特征在于，
所述金属氮化物膜由以通式：TixAlyNz表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.95，0.4≤z≤0.5，x+y+z＝1，其晶体结构为六方晶系的纤锌矿型单相，在X射线衍射时a轴取向(100)的衍射峰强度与c轴取向(002)的衍射峰强度的峰值比，即a轴取向(100)的衍射峰强度/c轴取向(002)的衍射峰强度为0.1以下。
2.一种薄膜型热敏电阻传感器，其特征在于，具备：绝缘性薄膜；薄膜热敏电阻部，由权利要求1中记载的热敏电阻用金属氮化物膜形成于该绝缘性薄膜上；一对图案电极，至少形成于所述薄膜热敏电阻部之上或之下。
3.一种热敏电阻用金属氮化物膜的制造方法，其特征在于，其为制造权利要求1中记载的热敏电阻用金属氮化物膜的方法，具有使用Ti-Al合金溅射靶在含氮气氛中进行反应性溅射而成膜的成膜工序，并且将所述反应性溅射时的溅射气体压力设定为0.41Pa以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱综合材料株式会社，未经三菱综合材料株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380013405.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
