[发明专利]具有Si-DLC层的食品容器及其制造方法有效
| 申请号： | 201380013488.5 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104169183A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李光烈;文明云;金成珍;宋恩景;赵京植;尹泰景 | 申请（专利权）人： | CJ第一制糖株式会社;韩国科学技术研究院 |
| 主分类号： | B65D25/14 | 分类号： | B65D25/14;C23C16/26;C08J7/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;韩明星 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 si dlc 食品容器 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有掺硅类金刚石碳(Si-DLC)层的食品容器，包括：
容器，由塑料材料制成；
中间薄层，形成在容器的表面上；以及
Si-DLC层，形成在中间薄层上。
2.根据权利要求1所述的食品容器，其中，对容器的所述表面执行等离子体处理，以改善容器的所述表面与中间薄层之间的粘着力。
3.根据权利要求1所述的食品容器，其中，容器由具有Si-DLC涂覆层的聚丙烯(PP)形成。
4.根据权利要求1所述的食品容器，其中，中间薄层由硅(Si)形成。
5.一种具有Si-DLC层的食品容器的制造方法，所述方法包括以下步骤：
准备由塑料材料制成的容器；
对容器的表面执行等离子体处理；
在容器的表面上沉积中间薄层；以及
在中间薄层上沉积Si-DLC层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在执行等离子体处理的步骤中，利用氩(Ar)来执行等离子体处理。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，容器由PP形成。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，中间薄层由Si形成。
9.根据权利要求5所述的方法，其中，通过等离子体化学气相沉积来执行沉积中间薄层的步骤和沉积Si-DLC层的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于CJ第一制糖株式会社;韩国科学技术研究院，未经CJ第一制糖株式会社;韩国科学技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380013488.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：医用陶瓷材料及其制造方法
- 下一篇：多车辆监视系统
