[发明专利]用于线性等离子体源的静态沉积轮廓调整

权利要求书

1.一种线性等离子体源，包含：

喷洒头，内部形成有开口，用以供气体流过；

设置于所述喷洒头附近的输送器，所述输送器上适以支撑基板并将所述基板相对于所述喷洒头移动；

电源，用以离子化所述气体；以及

气体成型装置，设置于所述喷洒头附近，以影响基板上的沉积轮廓，其中所述气体成型装置在处理过程中是可致动的。

2.如权利要求1所述的线性等离子体源，其特征在于，所述气体成型装置为可移动的挡板，所述挡板适于防止或减少通过形成于所述喷洒头内的至少一些所述开口的气流。

3.如权利要求2所述的线性等离子体源，其特征在于，所述可移动的挡板是可致动到位于所述喷洒头与所述输送器之间的位置。

4.如权利要求3所述的线性等离子体源，其特征在于，所述可移动的挡板由不锈钢或石英所形成。

5.如权利要求4所述的线性等离子体源，其特征在于，所述可移动的挡板回应所述输送器的移动而移动。

6.如权利要求1所述的线性等离子体源，其特征在于，所述气体成型装置包含一或多个磁铁，所述磁铁设置于所述喷洒头附近并且适以影响所述离子化气体，其中所述一或多个磁铁可在X、Y及Z方向上移动，且其中所述磁铁回应所述输送器的移动而移动。

7.一种线性等离子体源，包含：

喷洒头，具有下表面，所述下表面内部形成有开口，用以供气体流过；

设置于所述喷洒头附近的输送器，所述输送器上适以支撑基板并将所述基板相对于所述喷洒头移动；

电源，用以离子化所述气体；以及

致动器，适以改变所述喷洒头的所述下表面的角度相对于所述输送器的上表面的角度。

8.如权利要求7所述的线性等离子体源，其特征在于，所述气体经由柔性软管或配件提供到所述喷洒头。

9.如权利要求7所述的线性等离子体源，进一步包含设置于所述输送器上方的第二喷洒头，其中所述喷洒头适以相对于所述输送器的行进方向倾斜或下降。

10.如权利要求7所述的线性等离子体源，其特征在于，所述输送器上适以支撑数个基板。

11.一种线性等离子体源，包含：

输送器，所述输送器上适以支撑基板，并且所述输送器在第一方向上移动所述基板；

喷洒头，位于所述输送器上方，所述喷洒头具有分离的气体通道，所述气体通道流体耦接到形成于所述喷洒头内的开口，用以供气体流过，其中通过所述喷洒头的所述气流为非均匀的；以及

电源，用以离子化所述气体。

12.如权利要求11所述的线性等离子体源，其特征在于，沿着第一方向的所述开口的变动间距导致所述非均匀的气流。

13.如权利要求11所述的线性等离子体源，其特征在于，所述开口的直径沿着第一方向增加，且其中所述非均匀性包含非均匀的气体组成。

14.如权利要求11所述的线性等离子体源，其特征在于，所述喷洒头中包含数个不同的气体通道。

15.一种在线性等离子体源中处理基板的方法，包含以下步骤：

将基板放置于输送器上；

将基板输送到喷洒头附近；以及

使所述基板曝露于离子化气体，以在所述基板上沉积膜，其中以气体成型装置影响所述离子化气体，以于所述基板被输送到靠近所述喷洒头时在所述基板上均匀地沉积所述膜，其中以气体成型装置影响所述气体包含移动挡板到靠近所述喷洒头的下表面，以防止或减少通过的气流。