[发明专利]电子设备用玻璃盖片的玻璃基板及其制造方法有效
申请号: | 201380013614.7 | 申请日: | 2013-03-13 |
公开(公告)号: | CN104169233B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 雨宫勋;樱井正 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | C03C15/00 | 分类号: | C03C15/00;G06F3/041 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 丁香兰,庞东成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 备用 玻璃 及其 制造 方法 | ||
1.一种电子设备用玻璃盖片的玻璃基板的制造方法,所述玻璃基板具有一对主表面和端部,所述端部包含沿着与所述一对主表面正交的方向配置的端面和在所述一对主表面与所述端面之间配置的一对过渡面,该制造方法的特征在于,其包括:
过渡面形成工序,在所述玻璃基板的所述一对主表面与所述端面之间形成所述一对过渡面;和
镜面化处理工序,按照使所述端部的表面成为镜面的方式对所述玻璃基板进行蚀刻处理。
2.如权利要求1所述的电子设备用玻璃盖片的玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述过渡面形成工序是使用机械加工方法的处理,在所述镜面化处理工序中,按照除去因所述使用机械加工方法的处理而可能在所述端部产生的损坏层的方式,进行蚀刻处理。
3.如权利要求1所述的电子设备用玻璃盖片的玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述过渡面形成工序为蚀刻处理,在所述过渡面形成工序和所述镜面化处理工序中,使用组成各自不同的蚀刻液。
4.如权利要求3所述的电子设备用玻璃盖片的玻璃基板的制造方法,其特征在于,在所述过渡面形成工序中,使用氢氟酸或者对氢氟酸添加酸解离常数大于氢氟酸的酸作为添加剂的蚀刻液,在所述镜面化处理工序中,使用对氢氟酸添加酸解离常数大于氢氟酸的酸作为添加剂的蚀刻液,所述镜面化处理工序中的蚀刻液的添加剂浓度高于所述过渡面形成工序中的蚀刻液的添加剂浓度。
5.如权利要求4所述的电子设备用玻璃盖片的玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述镜面化处理工序中的蚀刻液中的氢氟酸与所述添加剂的物质的量的混合比为相对于每1kg蚀刻液总量为10:3~10:20的范围内。
6.如权利要求1~5中任一项所述的电子设备用玻璃盖片的玻璃基板的制造方法,其特征在于,在所述镜面化处理工序中,将所述玻璃基板浸渍在蚀刻液中,与所述玻璃基板的厚度方向平行地摇动所述玻璃基板。
7.如权利要求1~6中任一项所述的电子设备用玻璃盖片的玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法还包括开口形成工序,所述开口形成工序在所述镜面化处理工序之前进行,其使用机械加工方法在所述玻璃基板形成沿所述玻璃基板的厚度方向贯通的开口,在所述镜面化处理工序中,按照除去因所述使用机械加工方法的开口形成工序而可能在所述开口的内壁部产生的损坏层的方式,进行蚀刻处理。
8.如权利要求7所述的电子设备用玻璃盖片的玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法还包括化学强化工序,所述化学强化工序在所述蚀刻处理工序后进行,其通过离子交换进行化学强化,在所述蚀刻处理工序中,按照抑制可能在所述开口的内壁部存在的损坏层所导致的所述玻璃基板在所述化学强化工序中的破损的方式,预先确定蚀刻的加工余量。
9.如权利要求1~8中任一项所述的电子设备用玻璃盖片的玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述蚀刻处理在隔着具有抗蚀刻性的保护材而层积两片以上所述玻璃基板的状态下进行。
10.一种电子设备用玻璃盖片的玻璃基板,该玻璃基板具有一对主表面和端部,所述端部包含沿着与所述一对主表面正交的方向配置的端面和在所述一对主表面与所述端面之间配置的一对过渡面,其特征在于,所述过渡面和所述端面为镜面。
11.如权利要求10所述的电子设备用玻璃盖片的玻璃基板,其特征在于,所述端面的相互正交的两个方向上的各向同性表面粗糙度Ra为1μm以下。
12.如权利要求10或11所述的电子设备用玻璃盖片的玻璃基板,其特征在于,在所述玻璃基板上形成有开口,在作为所述开口的内壁部表面的内壁面与所述一对主表面之间形成有过渡面,该过渡面和所述内壁面为镜面。
13.如权利要求10~12中任一项所述的电子设备用玻璃盖片的玻璃基板,其特征在于,所述玻璃基板为能够利用离子交换进行化学强化的铝硅酸盐玻璃。
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