[发明专利]荧光体以及使用了该荧光体的发光装置无效
申请号: | 201380013649.0 | 申请日: | 2013-03-07 |
公开(公告)号: | CN104254585A | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 泷泽俊幸 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | C09K11/63 | 分类号: | C09K11/63;C09K11/08;H01L33/50 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张楠;陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 以及 使用 发光 装置 | ||
1.一种荧光体,其包含以硼、氮以及氧为主成分的主材料,在所述主材料中添加有稀土元素,所述荧光体的荧光中心波长为绿色区域。
2.如权利要求1所述的荧光体,所述稀土元素是原子序数第58号至第71号的元素中的至少一种。
3.如权利要求1或2所述的荧光体,在所述主材料中,包含有Al、Si、C、P、S、Mg、Ca、Sr、Ba以及Zn中的至少一个以上作为副成分。
4.如权利要求1至3中任一项所述的荧光体,在所述主材料中,与所述稀土元素一起添加有Sc、Y以及La中的至少一个以上。
5.如权利要求1至4中任一项所述的荧光体,所述荧光体的荧光主波长在500nm至590nm之间。
6.一种发光装置,所述发光装置包含发光主波长在350nm至490nm之间的发光元件、以及荧光体部件,
所述荧光体部件包含权利要求1至5中任一项所述的荧光体。
7.如权利要求6所述的发光装置,所述荧光体部件还包含荧光主波长在590nm至660nm之间的荧光体作为第二荧光体。
8.如权利要求7所述的发光装置,所述荧光体部件还包含荧光主波长在430nm至500nm之间的荧光体作为第三荧光体。
9.如权利要求8所述的发光装置,所述荧光体部件具有按照所包含的荧光体的种类而划分的区域。
10.如权利要求7所述的发光装置,所述第二荧光体是量子点荧光体、CaAlSiN3:Eu、(Sr,Ca)AlSiN3:Eu、或者使Si2N2O固溶在CaAlSiN3:Eu中的荧光体。
11.如权利要求8所述的发光装置,所述第三荧光体是(Ba,Sr)MgAl10O17:Eu、(Sr,Ca,Ba,Mg)10,(PO4)6Cl2:Eu、以及(Sr,Ba)3MgSi2O8:Eu中的任意一个。
12.如权利要求6至11中任一项所述的发光装置,所述发光元件是半导体激光二极管。
13.一种荧光体,作为制作工序而具有氮化处理,在所述氮化处理中使用尿素作为氮原料,所述荧光体以化学式MO(1-x)Nx:RE表示,其中,M是IIA族、IIIA族以及IIIB族中的至少一个元素,氮组成x是比0大且包含1的值,RE是原子序数第58号至第71号的元素中的至少一个元素。
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