[发明专利]研磨方法

权利要求书

1.一种研磨方法，其具有以下工序：

准备基板的工序，所述基板具有作为阻止层的氮化硅、布线金属及绝缘材料，且在比所述阻止层更靠近被研磨面侧的位置具有至少一部分所述布线金属及至少一部分所述绝缘材料；

研磨工序，向所述基板的被研磨面与研磨垫之间供给化学机械研磨液，对位于比所述氮化硅更靠近被研磨面侧位置的所述布线金属及所述绝缘材料进行研磨；以及

停止研磨的工序，在所述氮化硅露出且所述氮化硅被完全除去之前停止研磨，

所述化学机械研磨液含有：

(A)(a)阴离子性且不包含疏水性取代基的单体与(b)包含疏水性取代基的单体的共聚物、

(B)磨粒、

(C)酸、

(D)氧化剂、及

(E)液状介质，

所述(B)成分具有在化学机械研磨液中为+10mV以上的ζ电位，

所述(A)成分中的(a)与(b)的共聚比(a)∶(b)以摩尔比计为25∶75～75∶25，且

所述化学机械研磨液的pH值为5.0以下。

2.一种研磨方法，其具有以下工序：

准备基板的工序，所述基板具有作为阻止层的氮化硅、布线金属、阻挡金属及绝缘材料，且在比所述阻止层更靠近被研磨面侧的位置具有至少一部分所述布线金属、至少一部分所述阻挡金属及至少一部分所述绝缘材料；

研磨工序，向所述基板的被研磨面与研磨垫之间供给化学机械研磨液，对位于比所述氮化硅更靠近被研磨面侧位置的所述布线金属、所述阻挡金属及所述绝缘材料进行研磨；以及

停止研磨的工序，在所述氮化硅露出且所述氮化硅被完全除去之前停止研磨，

所述化学机械研磨液含有：

(A)(a)阴离子性且不包含疏水性取代基的单体与(b)包含疏水性取代基的单体的共聚物、

(B)磨粒、

(C)酸、

(D)氧化剂、及

(E)液状介质，

所述(B)成分具有在化学机械研磨液中为+10mV以上的ζ电位，

所述(A)成分中的(a)与(b)的共聚比(a)∶(b)以摩尔比计为25∶75～75∶25，且

所述化学机械研磨液的pH值为5.0以下。

3.一种研磨方法，其包括以下工序：

准备基板的工序，所述基板具有作为阻止层的氮化硅、布线金属、阻挡金属及绝缘材料，且在比所述阻止层更靠近被研磨面侧的位置具有至少一部分所述布线金属、至少一部分所述阻挡金属及至少一部分所述绝缘材料，所述基板还具有将所述氮化硅、所述绝缘材料、所述阻挡金属、所述布线金属依次层叠在被研磨面侧而成的部分；

第一研磨工序，将位于比所述氮化硅更靠近被研磨面侧位置的至少一部分布线金属除去而露出一部分所述阻挡金属；以及

第二研磨工序，利用化学机械研磨将位于比所述氮化硅更靠近被研磨面侧位置的至少一部分所述阻挡金属及至少一部分所述绝缘材料除去而露出所述氮化硅，且在所述氮化硅被完全除去之前停止研磨，

其中，至少在所述第二研磨工序中向所述基板的被研磨面与研磨垫之间供给化学机械研磨液，

所述化学机械研磨液含有：

(A)(a)阴离子性且不包含疏水性取代基的单体与(b)包含疏水性取代基的单体的共聚物、

(B)磨粒、

(C)酸、

(D)氧化剂、及

(E)液状介质，

所述(B)成分具有在化学机械研磨液中为+10mV以上的ζ电位，

所述(A)成分中的(a)与(b)的共聚比(a)∶(b)以摩尔比计为25∶75～75∶25，且

所述化学机械研磨液的pH值为5.0以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的研磨方法，其中，所述化学机械研磨液对所述绝缘材料的研磨速度相对于所述化学机械研磨液对所述氮化硅的研磨速度之比即对绝缘材料的研磨速度/对氮化硅的研磨速度为20以上。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的研磨方法，其中，所述(a)阴离子性且不包含疏水性取代基的单体为选自由丙烯酸及马来酸组成的组中的至少一种。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的研磨方法，其中，所述(b)包含疏水性取代基的单体为选自由甲基丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、2-乙基丙烯酸、2-丙基丙烯酸及2-丁基丙烯酸组成的组中的至少一种。