[发明专利]掺杂有机分子的金属氧化物电荷传输材料

权利要求书

1.用于光电器件的金属氧化物电荷传输材料，该材料包含：

金属氧化物材料；和

有机掺杂剂材料。

2.权利要求1的金属氧化物电荷传输材料，其中所述有机掺杂剂材料选自2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F₄TCNQ)、吖啶橙碱(AOB)和氯硼亚酞菁(SubPc)。

3.权利要求1的金属氧化物电荷传输材料，其中所述金属氧化物材料选自MoO₃、CrO₃、V₂O₅、WO₃、NiO、Cr₃O₄、Cr₂O₃、CuO、RuO₂、TiO₂、Ta₂O₅、SnO₂和Cu₂O。

4.权利要求1的金属氧化物电荷传输材料，其中所述有机掺杂剂的HOMO类似于或小于所述金属氧化物材料的LUMO。

5.权利要求1的金属氧化物电荷传输材料，其中所述有机掺杂剂的LUMO相似于或大于所述金属氧化物材料的HOMO。

6.权利要求1的金属氧化物电荷传输材料，其中所述金属氧化物材料掺杂有1至20体积％的所述有机掺杂剂材料。

7.权利要求1的金属氧化物电荷传输材料，其中所述金属氧化物材料掺杂有10体积％的所述有机掺杂剂材料。

8.有机光敏器件，该器件包括：

第一电极；

第二电极；

设置在所述第一电极和所述第二电极之间的光活性区域；和

设置在所述光活性区域与所述第一和第二电极中的至少一个电极之间的电荷传输层，其中所述电荷传输层包含掺杂有机掺杂剂材料的金属氧化物材料。

9.权利要求8的器件，其中所述有机掺杂剂材料选自2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F₄TCNQ)、吖啶橙碱(AOB)和氯硼亚酞菁(SubPc)。

10.权利要求8的器件，其中所述金属氧化物材料选自MoO₃、CrO₃、V₂O₅、WO₃、NiO、Cr₃O₄、Cr₂O₃、CuO、RuO₂、TiO₂、Ta₂O₅、SnO₂和Cu₂O。

11.权利要求8的器件，其中所述有机掺杂剂的HOMO类似于或小于所述金属氧化物材料的LUMO。

12.权利要求8的器件，其中所述有机掺杂剂的LUMO类似于或大于所述金属氧化物材料的HOMO。

13.权利要求8的器件，其中所述金属氧化物材料掺杂有1至20体积％的所述有机掺杂剂材料。

14.权利要求8的器件，其中所述金属氧化物材料掺杂有10体积％的所述有机掺杂剂材料。

15.权利要求8的器件，其中所述光活性区域包含形成施主-受主异质结的有机施主材料和有机受主材料。

16.有机光敏器件，该器件包含：

阳极；

多个串联的子单元，每个子单元包含：

电子施主层，和与所述电子施主层接触的电子受主层，从而形成施主-受主异质结，分隔所述子单元的电子-空穴复合区；和

阴极，

其中所述电子-空穴复合区包含掺杂有机掺杂剂材料的金属氧化物材料。

17.权利要求16的器件，其中所述有机掺杂剂材料选自2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F₄TCNQ)、吖啶橙碱(AOB)和氯硼亚酞菁(SubPc)。