[发明专利]掺杂有机分子的金属氧化物电荷传输材料无效
申请号: | 201380013755.9 | 申请日: | 2013-03-06 |
公开(公告)号: | CN104170114A | 公开(公告)日: | 2014-11-26 |
发明(设计)人: | S·R·弗里斯特;B·E·拉西特 | 申请(专利权)人: | 密执安州立大学董事会 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H05B33/14;H01L51/52 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王海宁 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 有机 分子 金属 氧化物 电荷 传输 材料 | ||
1.用于光电器件的金属氧化物电荷传输材料,该材料包含:
金属氧化物材料;和
有机掺杂剂材料。
2.权利要求1的金属氧化物电荷传输材料,其中所述有机掺杂剂材料选自2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4TCNQ)、吖啶橙碱(AOB)和氯硼亚酞菁(SubPc)。
3.权利要求1的金属氧化物电荷传输材料,其中所述金属氧化物材料选自MoO3、CrO3、V2O5、WO3、NiO、Cr3O4、Cr2O3、CuO、RuO2、TiO2、Ta2O5、SnO2和Cu2O。
4.权利要求1的金属氧化物电荷传输材料,其中所述有机掺杂剂的HOMO类似于或小于所述金属氧化物材料的LUMO。
5.权利要求1的金属氧化物电荷传输材料,其中所述有机掺杂剂的LUMO相似于或大于所述金属氧化物材料的HOMO。
6.权利要求1的金属氧化物电荷传输材料,其中所述金属氧化物材料掺杂有1至20体积%的所述有机掺杂剂材料。
7.权利要求1的金属氧化物电荷传输材料,其中所述金属氧化物材料掺杂有10体积%的所述有机掺杂剂材料。
8.有机光敏器件,该器件包括:
第一电极;
第二电极;
设置在所述第一电极和所述第二电极之间的光活性区域;和
设置在所述光活性区域与所述第一和第二电极中的至少一个电极之间的电荷传输层,其中所述电荷传输层包含掺杂有机掺杂剂材料的金属氧化物材料。
9.权利要求8的器件,其中所述有机掺杂剂材料选自2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4TCNQ)、吖啶橙碱(AOB)和氯硼亚酞菁(SubPc)。
10.权利要求8的器件,其中所述金属氧化物材料选自MoO3、CrO3、V2O5、WO3、NiO、Cr3O4、Cr2O3、CuO、RuO2、TiO2、Ta2O5、SnO2和Cu2O。
11.权利要求8的器件,其中所述有机掺杂剂的HOMO类似于或小于所述金属氧化物材料的LUMO。
12.权利要求8的器件,其中所述有机掺杂剂的LUMO类似于或大于所述金属氧化物材料的HOMO。
13.权利要求8的器件,其中所述金属氧化物材料掺杂有1至20体积%的所述有机掺杂剂材料。
14.权利要求8的器件,其中所述金属氧化物材料掺杂有10体积%的所述有机掺杂剂材料。
15.权利要求8的器件,其中所述光活性区域包含形成施主-受主异质结的有机施主材料和有机受主材料。
16.有机光敏器件,该器件包含:
阳极;
多个串联的子单元,每个子单元包含:
电子施主层,和与所述电子施主层接触的电子受主层,从而形成施主-受主异质结,分隔所述子单元的电子-空穴复合区;和
阴极,
其中所述电子-空穴复合区包含掺杂有机掺杂剂材料的金属氧化物材料。
17.权利要求16的器件,其中所述有机掺杂剂材料选自2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4TCNQ)、吖啶橙碱(AOB)和氯硼亚酞菁(SubPc)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择