[发明专利]荧光体、荧光体的制造方法及发光装置

权利要求书

1.荧光体,其是具有由下列通式(1)

[化1]

通式:(Sr_1-x,Ce_x)_αSi_βAlγO_δN_ω     (1)

(式中,x为0<x<1、α为0<α≦3、β、γ、δ及ω为α等于2时的 换算值,满足5≦β≦9、1≦γ≦5、0≦δ≦1.5、10≦ω≦20的数)表 示的基本组成的铈活化硅铝氧氮晶体的荧光体,其特征在于,上述荧光 体具有粒子的球形度在0.65以上的值；被紫外光、紫色光或蓝色光激发 而黄色发光。

2.按照权利要求1所述的荧光体,其特征在于,上述荧光体属于斜 方晶系。

3.按照权利要求1或2所述的荧光体,其特征在于,上述紫外光、 紫色光或蓝色光是在370nm以上470nm以下的范围内具有峰波长的光。

4.按照权利要求1～3的任何1项所述的荧光体,其特征在于,平均 粒径在5μm以上80μm以下。

5.按照权利要求1～4的任何1项所述的荧光体,其特征在于,发光 峰波长在550nm以上650nm以下。

6.荧光体的制造方法,其是制造权利要求1～5的任何1项所述荧 光体的荧光体制造方法,其特征在于,该方法具有:

分级工序,把作为荧光体原料的荧光体原料混合物烧成而得到的荧 光体粉末中粒径5μm以下粉末的小粒子部分,通过分级除去；以及

退火工序,把分级的后荧光体粉末在1950～2050℃进行高温退火处 理。

7.发光装置,其特征在于,该发光装置具有:基板；在该基板上配置 的、发射紫外光、紫色光或蓝色光的半导体发光元件；以及发光部,该发 光部含有荧光体,该荧光体是被覆该半导体发光元件的发光面而形成, 被来自上述半导体发光元件的发射光激发而发出可见光,所述荧光体包 含权利要求1～5的任何1项所述的荧光体。

8.按照权利要求7所述的发光装置,其特征在于,上述半导体发光 元件是发射在370nm以上470nm以下范围内具有峰波长的光的发光二极 管或激光二极管。