[发明专利]直流电压变换器有效

专利信息
申请号: 201380015208.4 申请日: 2013-01-15
公开(公告)号: CN104205592B 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: L.格斯纳克 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: H02M1/34 分类号: H02M1/34;H02M3/158
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 张涛,刘春元
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 直流 电压 变换器
【权利要求书】:

1.直流电压变换器,在该直流电压变换器中能够借助一个或多个半导体开关(TT,TH)来循环地对有源能量存储器进行充电和放电,其特征在于,为了避免至少一个半导体开关(TT,TH)的电压过冲而串联连接分配给至少一个半导体开关(TT,TH)的RCD组件,其中该RCD组件的电容器(CT,CH)和二极管(DT,DH)相串联,并且该RCD组件的电阻(R,RT,RH)能够借助开关(S,ST,SH)或者与所述二极管(DT,DH)相并联或者能够与所述二极管(DT,DH)断开,并且其中该RCD组件的二极管(DT,DH)被布置为,使得所述二极管在该半导体开关(TT,TH)的导通方向上是截止的。

2.根据权利要求1所述的直流电压变换器,其特征在于,如果该RCD组件的电阻(RT,RH)与所述二极管(DT,DH)断开,那么所述电阻与该RCD组件的电容器(CT,CH)相并联。

3.根据权利要求1或2所述的直流电压变换器,其特征在于,该RCD组件与半导体开关(TT,TH)或空转二极管(D3)相并联。

4.根据权利要求1至2之一所述的直流电压变换器,其特征在于,所述开关(S,ST,SH)作为继电器来实施。

5.根据权利要求1至2之一所述的直流电压变换器,其特征在于,所述开关(S,ST,SH)作为晶体管来实施。

6.根据权利要求1至2之一所述的直流电压变换器,其特征在于,为该RCD组件的电容器(CT,CH)设置充电电路(DT2,DH2,LT,LH),其中所述充电电路由电感(LT,LH)和与所述电感串联的二极管(DT2,DH2)构成。

7.根据权利要求1所述的直流电压变换器,其特征在于,至少一个半导体开关是晶体管。

8.根据权利要求1所述的直流电压变换器,其特征在于,有源能量存储器是电感(L1)。

9.根据权利要求1至2之一所述的直流电压变换器,其特征在于,给两个半导体开关(TT,TH)分别串联连接一个RCD组件,并且这两个RCD组件仅具有共同的电阻(R)和共同的开关(S)。

10.用于运行根据权利要求1至9之一所述的直流电压变换器的方法,其中该直流电压变换器具有两个可控的半导体开关、也即一个降压晶体管(TT)和一个升压晶体管(TH),其特征在于,对于作为降压变换器(降压器)的运行仅接通该降压晶体管(TT),在与该降压晶体管TT相并联的RCD组件中的电阻(RH)与该电容器(CH)相并联,并且在与该升压晶体管(TH)相并联的RCD组件中的电阻(RT)与该二极管(DT)相并联或被断开。

11.用于运行根据权利要求1至9之一所述的直流电压变换器的方法,其中该直流电压变换器具有两个可控的半导体开关、也即一个降压晶体管(TT)和一个升压晶体管(TH),其特征在于,对于作为升压变换器(升压器)的运行仅接通该升压晶体管(TH),在与该升压晶体管(TH)相并联的RCD组件中的电阻(RT)与该电容器(CT)相并联,并且在与该降压晶体管(TT)相并联的RCD组件中的电阻(RH)与该二极管(DH)相并联或断开。

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