[发明专利]用于制备包括甲基氯化锗的有机官能化化合物的方法无效
申请号: | 201380015572.0 | 申请日: | 2013-02-15 |
公开(公告)号: | CN104185637A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | D·卡佐利斯;罗伯特·托马斯·拉森 | 申请(专利权)人: | 道康宁公司 |
主分类号: | C07F9/00 | 分类号: | C07F9/00;C07F7/30 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 牟静芳;郑霞 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制备 包括 甲基 氯化 有机 官能 化化 方法 | ||
1.一种方法,包括步骤(i)和(ii),其中:
步骤(i)是在200℃至1400℃范围内的温度下使过渡金属催化剂与包含氢气和式MXa的卤化物的混合物接触,其中M为选自锑、砷、铋、硼、镉、镓、锗、铟、铅、汞、磷、硒、硫、碲和锡的元素;每个X独立地为卤素原子或氢原子,前提条件是至少一个X为卤素原子,并且下标a具有与M的化合价相匹配的值;以形成包含至少0.1%M的含M过渡金属催化剂;并且
步骤(ii)是在100℃至600℃范围内的温度下使所述含M过渡金属催化剂与式RX的有机卤化物接触,以形成式RbMcXd的至少一种有机官能化化合物,其中M和X如上所述,每个R独立地为单价有机基团,下标b为1或更大,下标c为1或更大,下标d为0或更大,并且数量(b+d)具有与Mc的化合价相匹配的值。
2.根据权利要求1所述的方法,其中步骤(i)中使用的所述过渡金属催化剂为铜催化剂,所述铜催化剂选自铜以及包含铜和至少一种选自金、镁、钙、铯、锡和硫的元素的混合物。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括单独而连续的步骤(iii)和(iv),其中步骤(iii)和(iv)在步骤(ii)之后进行,并且其中
步骤(iii)是重复步骤(i)但使用额外的氢气和额外的卤化物,并在步骤(ii)之后回收乏含M过渡金属催化剂,以再形成所述含M过渡金属催化剂,并且
步骤(iv)是重复步骤(ii)但使用步骤(iii)中再形成的所述含M过渡金属催化剂和额外的有机卤化物。
4.根据权利要求3所述的方法,还包括重复步骤(iii)和(iv)至少一次。
5.根据权利要求3或权利要求4所述的方法,还包括在步骤(iv)中所述再形成的含M过渡金属催化剂与所述另外的有机卤化物在反应器中的所述接触之前,吹扫所述反应器。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述吹扫是使用氩气或所述额外的卤化物进行。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法,还包括在步骤(ii)中所述含M过渡金属催化剂与所述有机卤化物接触之前进行吹扫。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述吹扫是使用氩气或式MXa的所述卤化物进行。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法,其中步骤(i)中所述过渡金属催化剂为有支撑型。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述过渡金属催化剂为包含0.1至35%的所述混合物的铜催化剂,并且所述混合物包含铜、金和镁。
11.根据权利要求9或10所述的方法,其中所述过渡金属催化剂负载在活性炭上。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法,其中由步骤(i)形成的所述含M过渡金属催化剂包含1%至5%的M。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法,其中所述氢气与所述卤化物的摩尔比在20:1至5:1的范围内。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的方法,其中每个X为Cl。
15.根据权利要求1-14中任一项所述的方法,其中所述有机卤化物具有式RX,其中R为1至10个碳原子的烷基或4至10个碳原子的环烷基,并且X为F、Cl、Br或I。
16.根据权利要求1-15中任一项所述的方法,其中步骤(ii)中的所述接触是在不存在氢的情况下进行。
17.根据权利要求1-16中任一项所述的方法,其中所述有机官能化化合物包括式R2MX2的物质,其中R为1至10个碳原子的烷基或4至10个碳原子的环烷基,并且X为F、Cl、Br或I。
18.根据权利要求15或权利要求17所述的方法,其中R为甲基并且X为Cl。
19.根据权利要求1至18中任一项所述的方法,其中M为Ge。
20.根据权利要求1-19中任一项所述的方法,还包括回收所述有机官能化化合物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于道康宁公司;,未经道康宁公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380015572.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。